| 講演名 | 2011-05-20 III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 山下 浩司, 加賀 充, 矢木 康太, 鈴木 敦志, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 天野 浩, |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御として以下の二つを検討した。まず、従来のLED構造上にトンネル接合と横方向電流拡散のためのn-GaN層を有するLEDを作製した。素子表面からの光取り出し量が、従来の半透明電極を用いたLEDよりも1.4倍に向上することがわかった。これは、n-GaN層で横方向に電流が十分拡散し、かつ半透明電極による光吸収を抑制できたためと考えられる。次に、埋め込みトンネル接合による電流狭窄構造を有する窒化物半導体面発光レーザの注入電流密度と素子抵抗を有限要素法により見積もった。適切な素子構造ではその抵抗が200Ω程度に抑えられ、室温連続動作する可能性を有することを確認した。 |
| 抄録(英) | Current path control in nitride semiconductor-based devices with tunnel junctions have been investigated along the following two aspects. First, LEDs with tunnel junctions and top n-GaN layers for current spreading were fabricated. Light extraction was improved 1.4 times compared to that of standard LEDs with semi-transparent electrodes. This indicates that the currents were sufficiently spreading at the top n-GaN layers and no light was absorbed at the electrodes. Next, current density distribution and device resistance were estimated in nitride-based vertical cavity surface emitting lasers with the tunnel junctions by finite element method. a reasonable low resistance, 200Ω, was obtained in a suitable device structure, implying potential cw operations at room temperature. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / 電流経路制御 / トンネル接合 / 面発光レーザ |
| キーワード(英) | nitride semiconductor / current path control / tunnel junction / surface-emitting laser |
| 資料番号 | ED2011-20,CPM2011-27,SDM2011-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current path control in Nitride semiconductor-based devices with tunnel junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 電流経路制御 / current path control |
| キーワード(3)（和/英） | トンネル接合 / tunnel junction |
| キーワード(4)（和/英） | 面発光レーザ / surface-emitting laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山下 浩司 / Kouji YAMASHITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加賀 充 / Mitsuru KAGA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 矢木 康太 / Kouta YAGI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 敦志 / Atsushi SUZUKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | エルシード株式会社 ELSEED Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya TAKEUCHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科:名古屋大学大学院工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University:Engineering, Nagoya University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2011-05-20 |
| 資料番号 | ED2011-20,CPM2011-27,SDM2011-33 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |