講演名 | 2011-05-20 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 丸山 大地, 岡田 浩, 関口 寛人, 若原 昭浩, |
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抄録(和) | 高温環境下で動作し、COガスに対して高い感度を有するガスセンサを目指してPt/GaNショットキバリアダイオードを作製し、室温~300℃、大気~真空の種々の条件下でAir、N_2ガスを流してI-V測定を行い、特性を評価した。その結果、逆方向電流・直列抵抗はガス種によらず、温度を上昇させると増加する傾向にあった。またガス種によらず、圧力を変化しても特性は変化しないことがわかった。そしてCOガスを流すと、濃度に応じた電流密度の変化が得られた。 |
抄録(英) | Pt/GaN Schottky barrier diode (SBD) was fabricated for CO gas detection in high temperatures. Thermal and pressure characteristics were investigated based-on I-V measurement. SBD was more sensitive to thermal changes than pressure changes. By introducing CO gas, increase of reverse current was observed, and was increased with CO gas concentration. |
キーワード(和) | Pt / GaN / ショットキバリアダイオード / COガス |
キーワード(英) | Pt / GaN / Schottky barrier diode / CO gas |
資料番号 | ED2011-30,CPM2011-37,SDM2011-43 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
開催地(和) | |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Evaluation of Pt/GaN Schottky barrier diode for CO gas sensor operating in high temperatures |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Pt / Pt |
キーワード(2)(和/英) | GaN / GaN |
キーワード(3)(和/英) | ショットキバリアダイオード / Schottky barrier diode |
キーワード(4)(和/英) | COガス / CO gas |
第 1 著者 氏名(和/英) | 丸山 大地 / Daichi MARUYAMA |
第 1 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Dept. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
第 2 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所 Electronics Inspired Interdisciplinary Research Institute (EIIRIS), Toyohashi Univ. of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI |
第 3 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Dept. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
第 4 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Dept. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technology |
発表年月日 | 2011-05-20 |
資料番号 | ED2011-30,CPM2011-37,SDM2011-43 |
巻番号(vol) | vol.111 |
号番号(no) | 44 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |