講演名 2011-05-20
高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
丸山 大地, 岡田 浩, 関口 寛人, 若原 昭浩,
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抄録(和) 高温環境下で動作し、COガスに対して高い感度を有するガスセンサを目指してPt/GaNショットキバリアダイオードを作製し、室温~300℃、大気~真空の種々の条件下でAir、N_2ガスを流してI-V測定を行い、特性を評価した。その結果、逆方向電流・直列抵抗はガス種によらず、温度を上昇させると増加する傾向にあった。またガス種によらず、圧力を変化しても特性は変化しないことがわかった。そしてCOガスを流すと、濃度に応じた電流密度の変化が得られた。
抄録(英) Pt/GaN Schottky barrier diode (SBD) was fabricated for CO gas detection in high temperatures. Thermal and pressure characteristics were investigated based-on I-V measurement. SBD was more sensitive to thermal changes than pressure changes. By introducing CO gas, increase of reverse current was observed, and was increased with CO gas concentration.
キーワード(和) Pt / GaN / ショットキバリアダイオード / COガス
キーワード(英) Pt / GaN / Schottky barrier diode / CO gas
資料番号 ED2011-30,CPM2011-37,SDM2011-43
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2011/5/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Evaluation of Pt/GaN Schottky barrier diode for CO gas sensor operating in high temperatures
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Pt / Pt
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN
キーワード(3)(和/英) ショットキバリアダイオード / Schottky barrier diode
キーワード(4)(和/英) COガス / CO gas
第 1 著者 氏名(和/英) 丸山 大地 / Daichi MARUYAMA
第 1 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
Dept. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 岡田 浩 / Hiroshi OKADA
第 2 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所
Electronics Inspired Interdisciplinary Research Institute (EIIRIS), Toyohashi Univ. of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI
第 3 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
Dept. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA
第 4 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
Dept. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technology
発表年月日 2011-05-20
資料番号 ED2011-30,CPM2011-37,SDM2011-43
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 44
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日