| 講演名 | 2011-05-20 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 森 雅之, 中山 幸二, 中谷 公彦, 安井 雄一郎, 前澤 宏一, |
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| 抄録(和) | 我々はこれまでに、Si(111)基板上に1原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して、高品質なInSb薄膜を2段階成長法により作製できることを報告してきた。今回は、1層目の成長条件に着目し、成長温度、成長レート、蒸着量を最適化し、室温で約36,200cm^2/Vsという高い電子移動度を持ったInSb薄膜(膜厚1μm)を成長できたので報告する。 |
| 抄録(英) | We have reported that high quality InSb films can be grown by surface reconstruction controlled epitaxy. In the growth, the growth of InSb film is carried out via InSb bilayer which is prepared by adsorption of In and Sb stoms onto a Si(111) surface. In this study, we optimized the growth condition such as growth temperature, growth rate and thickness of the first layer. We report the growth of high electron mobility InSb film with 36,200 cm2/Vs at RT on Si(111) substrate. |
| キーワード(和) | InSb / Si(111) / 表面再構成 / 単分子層 |
| キーワード(英) | InSb / Si(111) / Surface Reconstruction / bilayer |
| 資料番号 | ED2011-19,CPM2011-26,SDM2011-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High electron mobility InSb film grown by surface reconstruction controlled epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(2)（和/英） | Si(111) / Si(111) |
| キーワード(3)（和/英） | 表面再構成 / Surface Reconstruction |
| キーワード(4)（和/英） | 単分子層 / bilayer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 雅之 / Masayuki MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院 Graduate school of Sci. & Eng. Toyama University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中山 幸二 / Koji NAKAYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院 Graduate school of Sci. & Eng. Toyama University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中谷 公彦 / Kimihiko NAKATANI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院 Graduate school of Sci. & Eng. Toyama University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安井 雄一郎 / Yuichiro YASUI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院 Graduate school of Sci. & Eng. Toyama University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Koichi MAEZAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院 Graduate school of Sci. & Eng. Toyama University |
| 発表年月日 | 2011-05-20 |
| 資料番号 | ED2011-19,CPM2011-26,SDM2011-32 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |