| 講演名 | 2011-05-20 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 宮崎 英志, 合田 祐司, 岸本 茂, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al_2O_3成膜前の前処理として(NH_4)_2S(硫化アンモニウム)処理を検討した。まず初めに、Al_2O_3/n-GaN MOSダイオードを用いて、(NH_4)_2S処理の効果を検討した所、Al_2O_3成膜前に(NH_4)_2S処理を行うことでC-Vカーブの傾きが(NH_4)_2S処理なしに比べて急峻になり、界面準位密度も低減した。次に本(NH_4)_2S処理をAl_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETに適用したところ、I_D,-g_m-V_ |
| 抄録(英) | We have introduced (NH_4)_2S surface treatments before the deposition of the Al_2O_3 gate oxide to improve the electrical properties of Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETs. Firstly, the effect of (NH_4)_2S surface treatment was studied using Al_2O_3/GaN MOS diodes. The slope in the C-V curve of the MOS diodes with (NH_4)_2S surface treatments was steeper than that of the devices without (NH_4)_2S. In addition, Al_2O_3/GaN interface trap density was decreased by (NH_4)_2S surface treatments. The hysteresis of the Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFET with (NH_4)_2S surface treatments in I_D-V_ |
| キーワード(和) | Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFET / 硫化アンモニウム / 界面準位密度 |
| キーワード(英) | Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFET / (NH_4)_2S / interface trap density |
| 資料番号 | ED2011-36,CPM2011-43,SDM2011-49 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of AlGaN/GaN MOSFETs with Al_2O_3 gate oxide deposited by atomic layer deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFET / Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 硫化アンモニウム / (NH_4)_2S |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位密度 / interface trap density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮崎 英志 / Eiji Miyazaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engieering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 合田 祐司 / Takeshi Gouda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engieering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科:名古屋大学VBL Department of Quantum Engieering, Nagoya University:VBL, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学VBL VBL, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2011-05-20 |
| 資料番号 | ED2011-36,CPM2011-43,SDM2011-49 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |