エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2014/05/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

黒田 亮太,  殷 翔,  佐藤 将来,  葛西 誠也,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-36,CPM2014-19,SDM2014-34
AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

渡邉 祥順,  三宅 秀人,  平松 和政,  岩崎 洋介,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-37,CPM2014-20,SDM2014-35
異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

中根 浩貴,  加藤 正史,  市村 正也,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-38,CPM2014-21,SDM2014-36
高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 : キャリアライフタイムの正確な評価に向けて(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

加藤 正史,  森 祐人,  市村 正也,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-39,CPM2014-22,SDM2014-37
P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications

,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-40,CPM2014-23,SDM2014-38
n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

竹内 和歌奈,  田岡 紀之,  坂下 満男,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-41,CPM2014-24,SDM2014-39
光化学堆積酸化スズ薄膜(SnO_2)の光応答性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

朴木 貴法,  市村 正也,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-42,CPM2014-25,SDM2014-40
溶液成長法によるSnS薄膜堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

山中 雄貴,  高野 泰,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-43,CPM2014-26,SDM2014-41
光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

田中 良和,  市村 正也,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-44,CPM2014-27,SDM2014-42
複写される方へ

,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]
Notice for photocopying

,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]
裏表紙

,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]
<<12 21-33hit(33hit)