| 講演名 | 2014-05-29 AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 渡邉 祥順, 三宅 秀人, 平松 和政, 岩崎 洋介, |
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| 抄録(和) | 窒化アルミニウムは深紫外域の発光・受光デバイスや高出力・高周波パワーデバイスなどの基板として注目されている。近年のHVPE法による自立基板の作製技術向上により、ホモエピタキシャル成長による低欠陥のAlN膜の作製が期待される。昇華法によるAlN自立基板上へのホモエピタキシャル成長においても、グレインの存在や表面状態によりクラックが発生する。そこで本研究では、クラックフリーかつ高品質AlN膜を目指して、AlN自立基板へ表面処理を施し、その後ホモエピタキシャル成長を行った。 |
| 抄録(英) | Aluminum nitride (AlN) attracted as a substrate for not only light-emitting diodes and detectors operating in the deep-ultraviolet region but also high-power and high-frequency power devices. Owing to the well-established hydride vapor phase epitaxy (HVPE) techniques of thick AlN layer in recent years, the fabrication of low-density AlN films by homoepitaxial growth is expected. As a result of AlN growth on a freestanding AlN substrate fabricated by the sublimation method, we previously reported that cracks occurred despite the homoepitaxial growth. This may be due to the presence of grains and the surface damage caused by polishing. In this study, for the purpose of producing crack-free and high-quality AlN films, we conducted surface treatment and homoepitaxial growth on freestanding AlN substrates. |
| キーワード(和) | AlN / 自立基板 / 表面処理 / ホモエピタキシャル成長 / HVPE法 / 加工基板 |
| キーワード(英) | AlN / freestanding substrate / surface treatment / homoepitaxial growth / hydride vapor phase epitaxy / trench substrate |
| 資料番号 | ED2014-37,CPM2014-20,SDM2014-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface treatment and homoepitaxial growth on AlN substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | 自立基板 / freestanding substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 表面処理 / surface treatment |
| キーワード(4)（和/英） | ホモエピタキシャル成長 / homoepitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | HVPE法 / hydride vapor phase epitaxy |
| キーワード(6)（和/英） | 加工基板 / trench substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邉 祥順 / Yoshinobu WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩崎 洋介 / Yosuke IWASAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | JFEミネラル株式会社技術研究所 JFE Mineral Company, LTD. Research Laboratories |
| 発表年月日 | 2014-05-29 |
| 資料番号 | ED2014-37,CPM2014-20,SDM2014-35 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |