| 講演名 | 2014-05-29 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 中根 浩貴, 加藤 正史, 市村 正也, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型4H-SiC中の深い準位の報告は少なく、特に価電子帯付近の深い準位についての報告はほとんどなされていない。本研究では、異なるAlドーピング濃度を有する複数のp型4H-SiCエピ膜に対して電流Deep Level Transient Spectroscopy測定を行い、深い準位を評価した。その結果、過去に報告のない価電子帯近傍の深い準位が観測された。 |
| 抄録(英) | Understanding of the deep level is essential to control the carrier lifetime for ultrahigh-voltage SiC bipolar devices. The deep levels in p-type 4H-SiC, especially those located near the valence band edge, have been rarely reported, In this study, we measured the deep levels for p-type 4H-SiC with various Al-doping concentrations by using current deep level transient spectroscopy (I-DLTS). As the result, we observed some peaks which have never been reported. |
| キーワード(和) | p型4H-SiC / 深い準位 / 電流DLTS |
| キーワード(英) | p-type 4H-SiC / deep levels / I-DLTS |
| 資料番号 | ED2014-38,CPM2014-21,SDM2014-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deep levels near the valence band in p-type 4H-SiC epilayers with various Al concentrations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | p型4H-SiC / p-type 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 深い準位 / deep levels |
| キーワード(3)（和/英） | 電流DLTS / I-DLTS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中根 浩貴 / Hiroki NAKANE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-05-29 |
| 資料番号 | ED2014-38,CPM2014-21,SDM2014-36 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |