| 講演名 | 2014-05-29 n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 竹内 和歌奈, 田岡 紀之, 坂下 満男, 中塚 理, 財満 鎭明, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Transient Spectroscopy(DLTS)法を用いて評価を行った。Sn及びGe注入試料ともに空孔欠陥およびSb-V欠陥が観測される。一方、Snイオン注入試料ではGeイオン注入試料では見られないE_v+0.19eVにトラップを観測した。そのトラップ密度はSnの導入量とともに増加し、空孔欠陥、Sb-V欠陥が減少する。従って、Snの導入によってSn-V欠陥やSn起因の欠陥が優先的に生成される結果、空孔欠陥及びSb-V欠陥に起因するトラップ密度を減少できることがわかった。 |
| 抄録(英) | Interaction between Sn and vacancy-related defects in an n-type Ge single crystal have been investigated by deep-level transient spectroscopy (DLTS). Di-vacancy and Sb-V defects are observed in the both Ge and Sn ion implanted samples. Meanwhile, in the Sn ion implanted samples, a trap of the single energy level of E_v+0.19 eV is observed while it does not appear in the Ge ion implanted samples. The density of this trap increases with the Sn concentration while those of di-vacancy and Sb-V defects decreases. Thus, Sn-V and Sn-related defects are preferentially formed with the Sn implantation into Ge single crystal. Based on these results, these trap density of di-vacancy and Sb-V defects can be decreased with increasing Sn atoms. |
| キーワード(和) | イオン注入 / Ge / Sn / 欠陥 / DLTS |
| キーワード(英) | Ion implantation / Ge / Sn / defects / DLTS |
| 資料番号 | ED2014-41,CPM2014-24,SDM2014-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interaction between Sn and Vacancy-rerated Defects in n-type Germanium Single Crystal |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン注入 / Ion implantation |
| キーワード(2)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(3)（和/英） | Sn / Sn |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥 / defects |
| キーワード(5)（和/英） | DLTS / DLTS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹内 和歌奈 / Wakana TAKEUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田岡 紀之 / Noriyuki TAOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂下 満男 / Mitsuo SAKASHITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中塚 理 / Osamu NAKATSUKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 財満 鎭明 / Shigeaki ZAIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2014-05-29 |
| 資料番号 | ED2014-41,CPM2014-24,SDM2014-39 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |