| 講演名 | 2014-05-29 高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 : キャリアライフタイムの正確な評価に向けて(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 加藤 正史, 森 祐人, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | キャリアライフタイムはバイポーラデバイスの性能に影響するパラメータであるため,デバイス設計においてはその値を把握する必要がある.しかしながら,デバイス動作時の状態に相当する高水準注入でのキャリアライフタイムを正確に測定する技術は確立されていなかった.本稿では高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号を測定することで,反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアライフタイムを評価できるかを検討する. |
| 抄録(英) | Carrier lifetime in a high injection condition is a key parameter for design of bipolar devices. There have never been methods to accurately evaluate the carrier lifetime in the high injection condition. In this study, we observed microwave reflectance from SiC in the high injection condition to discuss possibility for evaluation of the carrier lifetime in the high injection condition by the microwave photoconductivity decay method. |
| キーワード(和) | キャリアライフタイム / Sic / 反射マイクロ波 / 高水準注入 |
| キーワード(英) | Carrier lifetime / SiC / Microwave reflectance / High injection condition |
| 資料番号 | ED2014-39,CPM2014-22,SDM2014-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 : キャリアライフタイムの正確な評価に向けて(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microwave reflectance from SiC in the high injection condition : Toward accurate evaluation of the carrierlifetime |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | キャリアライフタイム / Carrier lifetime |
| キーワード(2)（和/英） | Sic / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 反射マイクロ波 / Microwave reflectance |
| キーワード(4)（和/英） | 高水準注入 / High injection condition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 祐人 / Yuto MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-05-29 |
| 資料番号 | ED2014-39,CPM2014-22,SDM2014-37 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |