講演名 2014-05-29
光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)
田中 良和, 市村 正也,
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抄録(和) 電気化学堆積法では不溶性である硫黄をチオ硫酸イオンより供給することで多くの硫化物半導体が作製可能である.また,SnSは化合物太陽電池の吸収層に適したバンドギャップを持つp型半導体である.本研究では電気化学堆積法による硫化スズ(SnS)作製時の光の影響に着目した.キセノン光源にてITO基板に光照射を加えながら電析したSnSと光を遮断して電析したSnSを比較し,光照射が表面モフォロジーに影響を与えることを見出した.また,SnSと光化学堆積法で作製したCdSのヘテロ接合太陽電池を作製し,光起電力を確認した.
抄録(英) By using the electrochemical deposition (ECD) method, many kinds of sulfide semiconductors can be fabricated using thiosulfate ions as the sulfur source. Tin monosulfide (SnS) is a p-type semiconductor with appropriate bandgap for absorber layer of solar cells. This research is focused on the effects of light irradiation during SnS deposition by ECD. Comparing SnS deposited with and without xenon light irradiation, we found that light irradiation affects the surface morphology. And heterojunctions using light-assisted ECD-SnS and photochemically deposited CdS have photovoltaic properties.
キーワード(和) SnS / 電気化学堆積法 / 光照射 / 太陽電池
キーワード(英) SnS / Electrochemical deposition / Light-assisted / Solarcell
資料番号 ED2014-44,CPM2014-27,SDM2014-42
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2014/5/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of SnS thin film by the light-assisted electrochemical deposition method and application to CdS/SnS heterojunction cells
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SnS / SnS
キーワード(2)(和/英) 電気化学堆積法 / Electrochemical deposition
キーワード(3)(和/英) 光照射 / Light-assisted
キーワード(4)(和/英) 太陽電池 / Solarcell
第 1 著者 氏名(和/英) 田中 良和 / Yoshikazu TANAKA
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学機能工学専攻
Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 市村 正也 / Masaya ICHIMURA
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学機能工学専攻
Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology
発表年月日 2014-05-29
資料番号 ED2014-44,CPM2014-27,SDM2014-42
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 56
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日