講演名 2014-05-29
溶液成長法によるSnS薄膜堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)
山中 雄貴, 高野 泰,
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抄録(和) 溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド、アンモニア水を用いて作製した。材料の量を変化させ、堆積するための条件を調べた。アンモニア水の量が変わると厚い膜を堆積させるための溶液の組成が変わることが分かった。走査電子顕微鏡により一部の試料で薄膜状になっていた。SnS薄膜で報告されているシート状の表面モホロジーが観察された。抵抗値測定をしたが、抵抗値が高すぎて測定困難であった。
抄録(英) We deposited SnS films on glass substrates using chemical bath deposition (CBD) method. SnS glows in a solution with SnCl_22H_2O, acetone, triethanolamine (TEA), thioacetamide (TA), and ammonia. Concentrations of TEA and TA suitable for thick SnS deposition varied with the NH_3 concentration. Scanning electron microscopy confirmed that continuous layers were obtained in several solutions. Most layers have a resistivity over 10^4 Ωcm.
キーワード(和) SnS / 溶液成長法(CBD法) / IV-VI族化合物
キーワード(英) tinsulfide / chemical bath deposition / IV-VI compound semiconductor
資料番号 ED2014-43,CPM2014-26,SDM2014-41
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2014/5/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 溶液成長法によるSnS薄膜堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation of SnS thin films on glasses using chemical bath depostition
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SnS / tinsulfide
キーワード(2)(和/英) 溶液成長法(CBD法) / chemical bath deposition
キーワード(3)(和/英) IV-VI族化合物 / IV-VI compound semiconductor
第 1 著者 氏名(和/英) 山中 雄貴 / Yuuki YAMANAKA
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学大学大学大学院電気電子工学専攻
Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 高野 泰 / Yasushi TAKANO
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学大学大学大学院電子物質科学専攻
Department of Electronics and Material Sciences, Graduate School of Engineering, Shizuoka University
発表年月日 2014-05-29
資料番号 ED2014-43,CPM2014-26,SDM2014-41
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 56
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日