| 講演名 | 2014-05-29 絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 黒田 亮太, 殷 翔, 佐藤 将来, 葛西 誠也, |
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| 抄録(和) | SiNおよびAl_2O_3をゲート絶縁膜として絶縁ゲート型GaAsエッチングナノワイヤFETのヒステリシス特性とダイナミック信号に対する応答の評価解析を行った.いずれの素子もヒステリシス特性を示したが,Al_2O_3ゲート素子ではゲートバイアスに白色ガウス雑音を重畳すると顕著な平均ドレイン電流分散が観測された.その特徴はしきい値電圧を変えずに電流が減少する特異なものであり,SiNゲート素子では観測されなかった.離散的なドレイン電流状態間の遷移のもとでの電流期待値によって実験結果の解釈を試みた. |
| 抄録(英) | We fabricate SiN and Al_2O_3-gate GaAs etched nanowire FETs, characterized dynamic hysteresis properties in their transfer characteristics, and analyzed. Both devices show clear hysteresis characteristics, however the Al_2O_3-gate device exhibits large dispersion of the average current when white Gaussian noise is superimposed to gate bias. In this dispersion, the drain current decreases as the noise intensity increases, without changing threshold voltages, which is not seen in the SiN-gate device. We explain the observed behavior by current expected value under transition between the discrete current states. |
| キーワード(和) | ナノワイヤFET / ヒステリシス特性 / 電流分散 / 絶縁ゲート / GaAs / SiN / Al_2O_3 |
| キーワード(英) | Nanowire FET / Hysteresis / Current dispersion / Insulated gate / GaAs / SiN / Al_2O_3 |
| 資料番号 | ED2014-36,CPM2014-19,SDM2014-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization and analysis of hysteresis properties in insulated-gate GaAs-based nanowire FETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤFET / Nanowire FET |
| キーワード(2)（和/英） | ヒステリシス特性 / Hysteresis |
| キーワード(3)（和/英） | 電流分散 / Current dispersion |
| キーワード(4)（和/英） | 絶縁ゲート / Insulated gate |
| キーワード(5)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(6)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(7)（和/英） | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒田 亮太 / Ryota KURODA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science & Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 殷 翔 / Xiang YIN |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science & Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 将来 / Masaki SATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science & Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya KASAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science & Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2014-05-29 |
| 資料番号 | ED2014-36,CPM2014-19,SDM2014-34 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |