| 講演名 | 2014-05-29 光化学堆積酸化スズ薄膜(SnO_2)の光応答性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 朴木 貴法, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | SnO_2はバンドギャップが3.6～3.8eVの大きい酸化物半導体であり、ガスセンサや紫外線センサへの応用が可能である。本研究では光化学堆積(PCD)法を用いて、ガラス基板上に厚さ約0.1μmのSnO_2薄膜を作製し、N_2雰囲気でのアニールを施した後、光伝導を測定した。AM1.5のスペクトルの光を1時間照射したところ、光強度1mW/cm^2で約2桁、100mW/cm^2で約3桁の抵抗率の減少が見られた。光照射を停止すると抵抗率の緩やかな増加が見られ、数時間かけて照射前の抵抗率近く値に回復した。フィルターにて紫外成分をカットした光に対してもほぼ同等の光応答が観測され、バンドギャップ以下のエネルギーの光に対しても光応答を示すことが見い出された。 |
| 抄録(英) | SnO_2 is an oxide semiconductor with a band gap of 3.6-3.8 eV and is regarded as promising for gas sensers and UV detectors. We characterized photo sensitivity of SnO_2 thin films deposited by photochemical deposition (PCD) method. The 0.1μm-thick films were deposited on glass substrates and then annealed in N_2 atmosphere. When irradiated with light of the AM1.5 spectrum for 1 hour, the resistance decreased by two order of magnitude for 1mW/cm^2 irradiation and three orders of magnitude for 100 mW/cm^2 irradiation. After the light was turned off, the resistance increased slowly and approached to the initial value after several hours. Almost the same photo response was observed even if the UV range was cut by a filter. Thus the films show high sensitivity even for below-band gap photo irradiation. |
| キーワード(和) | SnO_2 / 光化学堆積法 / 光伝導 |
| キーワード(英) | SnO_2 / photochemical deposition / photo conductance |
| 資料番号 | ED2014-42,CPM2014-25,SDM2014-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光化学堆積酸化スズ薄膜(SnO_2)の光応答性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photo-response of photochemically deposited SnO_2 thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SnO_2 / SnO_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 光化学堆積法 / photochemical deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 光伝導 / photo conductance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 朴木 貴法 / Takanori Hounoki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-05-29 |
| 資料番号 | ED2014-42,CPM2014-25,SDM2014-40 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |