| 講演名 | 2014-05-29 P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We realized p-GaN by high temperature Mg ion implantation with pre-sputter(PS) technique. Due to the new PS technique and high temperature implantation, ion implantation damage was greatly reduced. This soft implantation made the post anneal more effectively to recover the implantation damage and activate the implanted Mg ions. We believe this p-GaN by Mg ion implantation will contribute to GaN to enter high output power device application field. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | P-GaN / ion implantation / pre-sputter / power device |
| 資料番号 | ED2014-40,CPM2014-23,SDM2014-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / P-GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Zheng SUN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2014-05-29 |
| 資料番号 | ED2014-40,CPM2014-23,SDM2014-38 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |