システムナノ技術に関する特別研究専門委員会

システムナノ技術研究会

2018年1月19日(金)開催
第3回研究会「半導体技術でフォトン・フォノン・エレクトロンを制御する」

概要：
本研究会では、フォトン・フォノン・エレクトロンを制御するという長年の命題に対する半導体技術の挑戦を採り上げます。設計指針、作製および評価法、そして応用に至るまで、最新の研究開発動向について御講演いただきます。

主催：電子情報通信学会　システムナノ技術に関する時限研究専門委員会
日時：2018年1月19日(金) 10:00~17:40
会場：理化学研究所　鈴木梅太郎ホール
アクセス：東武東上線和光市駅徒歩15分
（アクセスマップ）

プログラム

時間	内容
10:00～10:10	開会挨拶，委員長挨拶一色　秀夫　委員長電気通信大学
10:10～10:55	招待講演「データ通信・産業用高機能半導体レーザ」武政　敬三株式会社QDレーザ
10:55～11:40	招待講演「空間光変調機(SLM)を用いた高度光制御とその応用」豊田　晴義浜松ホトニクス（株）
11:40～12:25	招待講演「AlGaN系紫外半導体レーザの現状とその可能性」岩谷　素顕，竹内　哲也，上山　智，赤崎　勇名城大学
12:25～14:00	昼食・展示会
14:00～14:45	招待講演「ヘテロ接合をもちいたトンネルFET -化合物半導体と二次元系半導体でのアプローチ例-」宮本　恭幸，金澤　徹東京工業大学
14:45～15:30	招待講演「Ga系デバイスのヘテロジーニアスインテグレーション技術」前田　辰郎産業技術総合研究所
15:30～16:00	休憩・展示会
16:00～16:45	招待講演「フォノンエンジニアリング（ナノスケール熱制御）の必要性と半導体技術者への期待」馬場　寿夫 JST
16:45～17:30	招待講演「フォノンエンジリアリングによる低エネルギー分子センサの創製」内田　建慶應義塾大学
17:30～17:40	閉会
18:00～	交流会

【参加申込み先】
氏名、連絡先（会社あるいは学校名、所属、郵便番号、所在地、電話番号）、交流会参加の有無をE-mailにてSNT研究会事務局（

）までお送り下さい。
【参加費】
一般 3,000円，学生無料(資料が必要な場合は1,000円）
(当日会場にてお支払いください。)
・研究会終了後，交流会（費用：4,000円）を予定しております。
【申込締切】
平成30年1月10日（水）
【問合先】
JST　前野　仁典、e-mail:

理化学研究所　飛田　聡、e-mail: