エレクトロニクス-電子ディスプレイ(開催日：2014/12/05)

タイトル/著者/発表日/資料番号
空孔率制御によるポーラスシリコン膜の自己組織的3次元微細構造形成(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)

石黒 敬太,  出野上 真樹,  青木 画奈,  藤井 稔,  

[発表日]2014/12/5
[資料番号]EID2014-31,SDM2014-126
軟X線源を用いたSiO_x中nc-Siの形成(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)

草壁 史,  平野 翔太,  部家 彰,  松尾 直人,  神田 一浩,  望月 孝晏,  宮本 修治,  小濱 和之,  伊藤 和博,  

[発表日]2014/12/5
[資料番号]EID2014-32,SDM2014-127
Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)

結城 広登,  矢野 裕司,  

[発表日]2014/12/5
[資料番号]EID2014-33,SDM2014-128
シングルパルスI_d-V_測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)

磯野 弘典,  矢野 裕司,  

[発表日]2014/12/5
[資料番号]EID2014-34,SDM2014-129
4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)

浅田 聡志,  奥田 貴史,  木本 恒暢,  須田 淳,  

[発表日]2014/12/5
[資料番号]EID2014-35,SDM2014-130
水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl_2O_3膜の形成(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)

梅原 智明,  堀田 昌宏,  吉嗣 晃治,  石河 泰明,  浦岡 行治,  

[発表日]2014/12/5
[資料番号]EID2014-36,SDM2014-131
二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)

小石 遼介,  森山 拓洋,  木村 康平,  河野 公紀,  宮下 英俊,  李 相錫,  岸田 悟,  木下 健太郎,  

[発表日]2014/12/5
[資料番号]EID2014-37,SDM2014-132
NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)

篠倉 弘樹,  西 佑介,  岩田 達哉,  木本 恒暢,  

[発表日]2014/12/5
[資料番号]EID2014-38,SDM2014-133
抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 : 第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)

森山 拓洋,  山崎 隆浩,  大野 隆央,  岸田 悟,  木下 健太郎,  

[発表日]2014/12/5
[資料番号]EID2014-39,SDM2014-134
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[発表日]2014/12/5
[資料番号]
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[発表日]2014/12/5
[資料番号]
奥付

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[発表日]2014/12/5
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表紙

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[発表日]2014/12/5
[資料番号]
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