| 講演名 | 2014-12-12 シングルパルスI_d-V_ 磯野 弘典, 矢野 裕司, |
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| 抄録(和) | シリコンカーバイド(SiC)-MOSFETは,多量の界面準位(D_| )の変動や,低いチャネル移動度が課題となっている.I_d-V_ | |
| 抄録(英) | SiC MOSFETs have suffered from issues such as threshold voltage instability and low channel mobility due to high interface trap density. Generally, I_d-V_ |
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| キーワード(和) | 4H-SiC / MOS / 界面特性 / シングルパルスI_d-V_ |
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| キーワード(英) | 4H-SiC / MOS / interface characterization / single pulse I_d-V_ |
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| 資料番号 | EID2014-34,SDM2014-129 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2014/12/5(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シングルパルスI_d-V_ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface Characterization of 4H-SiC MOSFETs by Single Pulse I_d-V_ |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | 界面特性 / interface characterization |
| キーワード(4)（和/英） | シングルパルスI_d-V_ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 磯野 弘典 / Kosuke ISONO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 矢野 裕司 / Hiroshi YANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 筑波大学 University of Tsukuba |
| 発表年月日 | 2014-12-12 |
| 資料番号 | EID2014-34,SDM2014-129 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |