| 講演名 | 2014-12-12 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) 浅田 聡志, 奥田 貴史, 木本 恒暢, 須田 淳, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本研究では、4H-SiCバイポーラトランジスタにおける電流増幅率の温度依存性を140-460Kの範囲で測定した。増幅率は460K から200Kに温度を下げるに従い110から1200に増加した。低温で増幅率が増大するのは、ベース層のイオン化率が低下し、正孔密度が低くなり、注入効率が上昇することに起因する。しかし、200Kから140Kまでさらに温度を低下させると、増幅率は1200から515に低下した。これは200K以下でベースの正孔密度が著しく低下することで、高注入状態により増幅率が抑制されることによると考える。 |
| 抄録(英) | Temperature dependence of current gain from 140 to 460 K in a 4H-SiC bipolar junction transistor (SiC BJT) was investigated. The current gain increased with reducing the temperature from 460 to 200 K and exhibited the maximum value of 1200 at 200 K. The higher current gain at the low temperature can be ascribed to an enhanced incomplete ionization of aluminum acceptors in the base layer, resulting in an increase of injection efficiency. However, the current gain decreased from 1200 at temperatures below 200 K. This is caused by high injection condition owing to low hole density in the base layer. |
| キーワード(和) | 4H-SiC BJT / 増幅率 / 高注入状態 |
| キーワード(英) | 4H-SiC BJT / Current gain / High injection |
| 資料番号 | EID2014-35,SDM2014-130 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
|---|---|
| 開催期間 | 2014/12/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Dependence of Current Gain in 4H-SiC BJTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC BJT / 4H-SiC BJT |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅率 / Current gain |
| キーワード(3)（和/英） | 高注入状態 / High injection |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浅田 聡志 / Satoshi ASADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京大院工 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥田 貴史 / Takafumi OKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京大院工 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京大院工 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun SUDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京大院工 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2014-12-12 |
| 資料番号 | EID2014-35,SDM2014-130 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |