| 講演名 | 2014-12-12 NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) 篠倉 弘樹, 西 佑介, 岩田 達哉, 木本 恒暢, |
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| 抄録(和) | 我々はこれまで,NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)において,NiO堆積時の酸素流量を適切に調節することでフォーミングに2つのモードを有することを確認した.本研究では,2つ目のモードであるセミフォーミング後に注目して抵抗スイッチング特性を調べた.セミフォーミング後において,電流値が量子化コンダクタンスの値G_0(=77.5μS)に従って離散的に変動することを見出した.また,セミフォーミング直後のコンダクタンスが初期状態のコンダクタンスG_ |
| 抄録(英) | In our previous work, forming processes showing two kinds of modes in resistive switching memory (ReRAM) based on NiO deposited with a proper oxygen gas flow rate were observed. In this work, resistive switching characteristics in the second mode, after semi-forming, were investigated. It was found that current after semi-forming fluctuated discretely by the quantized conductance G_0 (= 77.5 μS), and that the conductance values in most cells right after semi-forming were G_0 independent of the conductance in initial state G_ |
| キーワード(和) | 抵抗変化型メモリ / 酸化ニッケル / 量子ポイントコンタクト |
| キーワード(英) | ReRAM / Nickel oxide / Quantum point contact |
| 資料番号 | EID2014-38,SDM2014-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2014/12/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Resistive switching characteristics of NiO-based ReRAM after semi-forming process. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化ニッケル / Nickel oxide |
| キーワード(3)（和/英） | 量子ポイントコンタクト / Quantum point contact |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 篠倉 弘樹 / Hiroki SASAKURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西 佑介 / Yusuke NISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩田 達哉 / Tatsuya IWATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻:京都大学光・電子理工学教育研究センター Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University:Photonics and Electronics Science and Engineering Center (PESEC), Kyoto University |
| 発表年月日 | 2014-12-12 |
| 資料番号 | EID2014-38,SDM2014-133 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |