| 講演名 | 2014-12-12 Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) 結城 広登, 矢野 裕司, |
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| 抄録(和) | Si面4H-SiCのn-MOSFETを作製し,1Hz～1MHzの範囲でSplit c-v測定を行った.Split C-V法ではゲートーチャネル間の容量を測定するが,伝導帯近傍の界面準位密度の多いSiC-MOSFETでは,Split C-V特性に周波数依存性が表れる.SiC/酸化膜界面に窒素およびリンを導入した試料を用い,Split C-V特性の測定周波数による反転電荷の周波数応答や界面準位の影響について考察した.正確に反転層電荷密度を評価するには超低周波測定が必要であることを明らかにした. |
| 抄録(英) | Interface properties in 4H-SiC n-MOSFETs on Si-face were characterized by using split C-V method in the frequency range of 1 - 1M Hz. The split C-V characteristics for SiC-MOSFETs showed frequency dependence due to a large interface state density near the conduction band edge. The impact of the interface properties produced by different oxidation methods including NO- and POCl_3-annealing on the frequency dependence in the split C-V characteristics is discussed in this study. We revealed that a very low frequency is needed for accurate evaluation of channel charge density. |
| キーワード(和) | 4H-SiC / MOS / POCl_3アニール / Split C-V |
| キーワード(英) | 4H-SiC / MOS / POCl_3-anneal / Split C-V |
| 資料番号 | EID2014-33,SDM2014-128 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2014/12/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Frequency Dependence of Split C-V Characteristics in Si-face 4H-SiC n-MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | POCl_3アニール / POCl_3-anneal |
| キーワード(4)（和/英） | Split C-V / Split C-V |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 結城 広登 / Hiroto YUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 矢野 裕司 / Hiroshi YANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 筑波大学 University of Tsukuba |
| 発表年月日 | 2014-12-12 |
| 資料番号 | EID2014-33,SDM2014-128 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |