講演名 2014-12-12
軟X線源を用いたSiO_x中nc-Siの形成(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)
草壁 史, 平野 翔太, 部家 彰, 松尾 直人, 神田 一浩, 望月 孝晏, 宮本 修治, 小濱 和之, 伊藤 和博,
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抄録(和) SiO_x中に低温でナノ結晶Si(nc-Si)を形成することは、高効率太陽電池実現にとって重要な技術の一つである。我々はシンクロトロン放射光施設NewSUBARUのBL07Aを利用した軟X線照射による低温結晶化を提案しており、非晶質Si(a-Si)膜において結晶化閥値温度を100℃程度低減できることを明らかにしている。Si2p軌道の内殻準位に近い光子エネルギーの軟X線照射による電子励起・原子移動効果により、SiO_x膜中のa-Siは結晶化した。軟X線照射時の基板温度は660℃である。nc-Siの粒径は、ラマンピークのシフトより16.8nmと見積もられた。軟X線照射により、nc-Siを低温で形成できる可能性があると考えられる。
抄録(英) The low-temperature formation of nanocrystalline Si (nc-Si) in SiO_x is one of key technologies for the realization of high-quality solar cells. We proposed a low-temperature crystallization method by soft X-ray at BL07A in the synchrotron radiation facility, NewSUBARU. It is known that the crystallization temperature of amorphous Si (a-Si) film on SiO_2 substrate was reduced by about 100℃. The a-Si in SiO_x film was crystallized by atomic migration via electron excitation by soft X-ray irradiation at the photon energy near the core level of Si2p. The size of nc-Si prepared at 660℃ by soft X-ray irradiation was estimated to 16.8 nm from the peak position of Raman spectra. The nc-Si can be formed by soft X-ray irradiation at low temperature.
キーワード(和) 軟X線 / ナノ結晶Si / 低温結晶化 / ラマン分光法
キーワード(英) Soft X-ray / nc-Si / Low-temperature crystallization / Raman scattering
資料番号 EID2014-32,SDM2014-127
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 2014/12/5(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 軟X線源を用いたSiO_x中nc-Siの形成(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Formation of nc-Si in SiOx by Soft X-ray Irradiation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 軟X線 / Soft X-ray
キーワード(2)(和/英) ナノ結晶Si / nc-Si
キーワード(3)(和/英) 低温結晶化 / Low-temperature crystallization
キーワード(4)(和/英) ラマン分光法 / Raman scattering
第 1 著者 氏名(和/英) 草壁 史 / Fumito KUSAKABE
第 1 著者 所属(和/英) 兵庫県立大学大学院工学研究科
University of Hyogo
第 2 著者 氏名(和/英) 平野 翔太 / Shota HIRANO
第 2 著者 所属(和/英) 兵庫県立大学大学院工学研究科
University of Hyogo
第 3 著者 氏名(和/英) 部家 彰 / Akira HEYA
第 3 著者 所属(和/英) 兵庫県立大学大学院工学研究科
University of Hyogo
第 4 著者 氏名(和/英) 松尾 直人 / Naoto MATSUO
第 4 著者 所属(和/英) 兵庫県立大学大学院工学研究科
University of Hyogo
第 5 著者 氏名(和/英) 神田 一浩 / Kazuhiro KANDA
第 5 著者 所属(和/英) 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所
LASTI, University of Hyogo
第 6 著者 氏名(和/英) 望月 孝晏 / Takayasu MOTIZUKI
第 6 著者 所属(和/英) 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所
LASTI, University of Hyogo
第 7 著者 氏名(和/英) 宮本 修治 / Shuji MIYAMOTO
第 7 著者 所属(和/英) 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所
LASTI, University of Hyogo
第 8 著者 氏名(和/英) 小濱 和之 / Kazuyuki KOHAMA
第 8 著者 所属(和/英) 大阪大学接合科学研究所
Osaka University
第 9 著者 氏名(和/英) 伊藤 和博 / Kazuhiro ITO
第 9 著者 所属(和/英) 大阪大学接合科学研究所
Osaka University
発表年月日 2014-12-12
資料番号 EID2014-32,SDM2014-127
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 359
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日