講演名 | 2014-12-12 軟X線源を用いたSiO_x中nc-Siの形成(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) 草壁 史, 平野 翔太, 部家 彰, 松尾 直人, 神田 一浩, 望月 孝晏, 宮本 修治, 小濱 和之, 伊藤 和博, |
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抄録(和) | SiO_x中に低温でナノ結晶Si(nc-Si)を形成することは、高効率太陽電池実現にとって重要な技術の一つである。我々はシンクロトロン放射光施設NewSUBARUのBL07Aを利用した軟X線照射による低温結晶化を提案しており、非晶質Si(a-Si)膜において結晶化閥値温度を100℃程度低減できることを明らかにしている。Si2p軌道の内殻準位に近い光子エネルギーの軟X線照射による電子励起・原子移動効果により、SiO_x膜中のa-Siは結晶化した。軟X線照射時の基板温度は660℃である。nc-Siの粒径は、ラマンピークのシフトより16.8nmと見積もられた。軟X線照射により、nc-Siを低温で形成できる可能性があると考えられる。 |
抄録(英) | The low-temperature formation of nanocrystalline Si (nc-Si) in SiO_x is one of key technologies for the realization of high-quality solar cells. We proposed a low-temperature crystallization method by soft X-ray at BL07A in the synchrotron radiation facility, NewSUBARU. It is known that the crystallization temperature of amorphous Si (a-Si) film on SiO_2 substrate was reduced by about 100℃. The a-Si in SiO_x film was crystallized by atomic migration via electron excitation by soft X-ray irradiation at the photon energy near the core level of Si2p. The size of nc-Si prepared at 660℃ by soft X-ray irradiation was estimated to 16.8 nm from the peak position of Raman spectra. The nc-Si can be formed by soft X-ray irradiation at low temperature. |
キーワード(和) | 軟X線 / ナノ結晶Si / 低温結晶化 / ラマン分光法 |
キーワード(英) | Soft X-ray / nc-Si / Low-temperature crystallization / Raman scattering |
資料番号 | EID2014-32,SDM2014-127 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EID |
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開催期間 | 2014/12/5(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 軟X線源を用いたSiO_x中nc-Siの形成(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Formation of nc-Si in SiOx by Soft X-ray Irradiation |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 軟X線 / Soft X-ray |
キーワード(2)(和/英) | ナノ結晶Si / nc-Si |
キーワード(3)(和/英) | 低温結晶化 / Low-temperature crystallization |
キーワード(4)(和/英) | ラマン分光法 / Raman scattering |
第 1 著者 氏名(和/英) | 草壁 史 / Fumito KUSAKABE |
第 1 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 平野 翔太 / Shota HIRANO |
第 2 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
第 3 著者 氏名(和/英) | 部家 彰 / Akira HEYA |
第 3 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
第 4 著者 氏名(和/英) | 松尾 直人 / Naoto MATSUO |
第 4 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
第 5 著者 氏名(和/英) | 神田 一浩 / Kazuhiro KANDA |
第 5 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 LASTI, University of Hyogo |
第 6 著者 氏名(和/英) | 望月 孝晏 / Takayasu MOTIZUKI |
第 6 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 LASTI, University of Hyogo |
第 7 著者 氏名(和/英) | 宮本 修治 / Shuji MIYAMOTO |
第 7 著者 所属(和/英) | 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 LASTI, University of Hyogo |
第 8 著者 氏名(和/英) | 小濱 和之 / Kazuyuki KOHAMA |
第 8 著者 所属(和/英) | 大阪大学接合科学研究所 Osaka University |
第 9 著者 氏名(和/英) | 伊藤 和博 / Kazuhiro ITO |
第 9 著者 所属(和/英) | 大阪大学接合科学研究所 Osaka University |
発表年月日 | 2014-12-12 |
資料番号 | EID2014-32,SDM2014-127 |
巻番号(vol) | vol.114 |
号番号(no) | 359 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |