講演名 2014-12-12
二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)
小石 遼介, 森山 拓洋, 木村 康平, 河野 公紀, 宮下 英俊, 李 相錫, 岸田 悟, 木下 健太郎,
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抄録(和) 抵抗変化型メモリ(ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(V_o)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によって生じると考えられている。しかし,フィラメントのV_oを移動させるドライビングフォースは未だ明らかにされていない。本研究では低抵抗状態のReRAMに対して様々な波形の電圧パルスを入射し,種々の温度分布を実現することで濃度勾配によるV_oの拡散(濃度拡散)と温度勾配によるV_oの拡散(熱拡散)の分離を試みた。その結果,濃度拡散と熱拡散は常に競合しており,高抵抗化と低抵抗化は濃度拡散と熱拡散の大小関係によって決まることが示唆された。
抄録(英) It is widely received that resistive switching of resistive random access memory (ReRAM) is caused by formation and rupture of conductive filament consisting of oxygen vacancies, V_os. However, driving forces that migrate oxygen vacancies have been not elucidated yet. In this study, we tried to separate driving forces that cause V_o diffusion, concentration gradient (concentration diffusion) and temperature gradient (thermodiffusion), by generating various temperature distribution around the filament by injecting voltage pulses with various wave forms. As a result, it was shown that concentration diffusion and thermodiffusion are always competing each other in ReRAM, and magnitude relation of concentration diffusion and thermodiffusion decides which reset occurs or set occurs is decided by the magnitude relation of concentration diffusion and thermodiffusion.
キーワード(和) 抵抗変化型メモリ / ReRAM / 濃度拡散 / 熱拡散
キーワード(英) Resistive random access memory / ReRAM / concentration diffusion / thermodiffusion
資料番号 EID2014-37,SDM2014-132
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 2014/12/5(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 ENG
タイトル(和) 二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Study of driving forces that cause resistive switching of binary transition metal oxide memory
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化型メモリ / Resistive random access memory
キーワード(2)(和/英) ReRAM / ReRAM
キーワード(3)(和/英) 濃度拡散 / concentration diffusion
キーワード(4)(和/英) 熱拡散 / thermodiffusion
第 1 著者 氏名(和/英) 小石 遼介 / Ryosuke Koishi
第 1 著者 所属(和/英) 鳥取大学
Ibttori University
第 2 著者 氏名(和/英) 森山 拓洋 / Takumi Moriyama
第 2 著者 所属(和/英) 鳥取大学:鳥取大学工学部附属先端融合研究センター(TiFREC)
Ibttori University:Tottori Integrated Frontier Research Center (TiFREC)
第 3 著者 氏名(和/英) 木村 康平 / Kouhei Kimura
第 3 著者 所属(和/英) 鳥取大学
Ibttori University
第 4 著者 氏名(和/英) 河野 公紀 / Kouki Kawano
第 4 著者 所属(和/英) 鳥取大学
Ibttori University
第 5 著者 氏名(和/英) 宮下 英俊 / Hidetoshi Miyashita
第 5 著者 所属(和/英) 鳥取大学:鳥取大学工学部附属先端融合研究センター(TiFREC)
Ibttori University:Tottori Integrated Frontier Research Center (TiFREC)
第 6 著者 氏名(和/英) 李 相錫 / Sang-Seok LEE
第 6 著者 所属(和/英) 鳥取大学:鳥取大学工学部附属先端融合研究センター(TiFREC)
Ibttori University:Tottori Integrated Frontier Research Center (TiFREC)
第 7 著者 氏名(和/英) 岸田 悟 / Satoru Kishida
第 7 著者 所属(和/英) 鳥取大学:鳥取大学工学部附属先端融合研究センター(TiFREC)
Ibttori University:Tottori Integrated Frontier Research Center (TiFREC)
第 8 著者 氏名(和/英) 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita
第 8 著者 所属(和/英) 鳥取大学:鳥取大学工学部附属先端融合研究センター(TiFREC)
Ibttori University:Tottori Integrated Frontier Research Center (TiFREC)
発表年月日 2014-12-12
資料番号 EID2014-37,SDM2014-132
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 359
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日