エレクトロニクス-集積回路(開催日:2009/04/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]
FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM_[○!R](メモリ技術)

滋賀 秀裕,  高島 大三郎,  白武 慎一郎,  穂谷 克彦,  宮川 正,  荻原 隆,  福田 良,  滝澤 亮介,  初田 幸輔,  松岡 史宜,  長冨 靖,  橋本 大輔,  西村 久明,  日岡 健,  堂前 須弥子,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-1
大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)

秋山 悟,  関口 知紀,  竹村 理一郎,  小田部 晃,  伊藤 清男,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-2
MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)

杉林 直彦,  根橋 竜介,  崎村 昇,  本庄 弘明,  斉藤 信作,  伊藤 雄一,  三浦 貞彦,  加藤 有光,  森 馨,  尾崎 康亮,  小林 洋介,  大嶋 則和,  木下 啓藏,  鈴木 哲広,  永原 聖万,  石綿 延行,  末光 克巳,  深見 俊輔,  波田 博光,  笠井 直記,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-3
低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?(メモリ技術)

日高 秀人,  山岡 雅直,  宮野 信冶,  秋山 悟,  杉林 直彦,  川嶋 将一郎,  尾坂 匡隆,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-4
レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm^2セル2電源SRAM(メモリ技術)

藤村 勇樹,  平林 修,  川澄 篤,  鈴木 東,  武山 泰久,  櫛田 桂一,  佐々木 貴彦,  片山 明,  深野 剛,  中里 高明,  志津木 康,  串山 夏樹,  矢部 友章,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-5
カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM(メモリ技術)

吉本 秀輔,  井口 友輔,  奥村 俊介,  藤原 英弘,  野口 紘希,  新居 浩二,  川口 博,  吉本 雅彦,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-6
7T/14TディペンダブルSRAMおよびハーフセレクト回避セル配置構造(メモリ技術)

奥村 俊介,  藤原 英弘,  井口 友輔,  野口 紘希,  川口 博,  吉本 雅彦,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-7
NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm^2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ(メモリ技術)

二山 拓也,  藤田 憲浩,  常盤 直哉,  進藤 佳彦,  枝広 俊昭,  亀井 輝彦,  那須 弘明,  岩井 信,  加藤 光司,  福田 康之,  金川 直晃,  安彦 尚文,  松本 雅英,  姫野 敏彦,  橋本 寿文,  劉 逸青,  / 堺 学,  丁 虹,  竹内 義昭,  梶村 則文,  梶谷 泰之,  櫻井 清史,  柳平 康輔,  鈴木 俊宏,  並木 裕子,  藤村 朋史,  丸山 徹,  渡辺 寿治,  原 毅彦,  大島 成夫,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-8
7.8MB/sを実現する64Gb 4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー(メモリ技術)

本間 充祥,  / 柴田 昇,  中野 威,  小川 幹雄,  佐藤 順平,  竹山 嘉和,  磯部 克明,  /,  /,  /,  岩佐 清明,  中井 潤,  清水 孝洋,  境 新太郎,  川合 利昌,  星 聡,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  / 松田 容幸,  中村 敬一,  金箱 和範,  吉川 進,  五十嵐 渉,  井上 敦史,  高橋 俊行,  小松 幸生,  鈴木 智弓,  金澤 一久,  /,  /,  /,  /,  /,  / /,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-9
三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路(メモリ技術)

安福 正,  石田 光一,  宮本 晋示,  中井 弘人,  高宮 真,  桜井 貴康,  竹内 健,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-10
積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計方法の検討(メモリ技術)

菅野 孝一,  渡辺 重佳,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-11
スピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMの設計法の検討(メモリ技術)

玉井 翔人,  渡辺 重佳,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]ICD2009-12
複写される方へ

,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]
Notice for photocopying

,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2009/4/6
[資料番号]