| 講演名 | 2009-04-14 レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm^2セル2電源SRAM(メモリ技術) 藤村 勇樹, 平林 修, 川澄 篤, 鈴木 東, 武山 泰久, 櫛田 桂一, 佐々木 貴彦, 片山 明, 深野 剛, 中里 高明, 志津木 康, 串山 夏樹, 矢部 友章, |
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| 抄録(和) | デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として,ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し,ワード線電位を2電源間の9段階に分割した任意のレベルに設定可能なワード線ドライバ,および読み出し/書込みでのセル電源動的制御回路を提案した.これにより,従来よりも小さなセルトランジスタを使用しても安定動作が可能となるため,同一デザインルールでより高密度なセルを実現できる.40nm CMOSプロセスにおいて,スケーリングトレンドに比べ10%小さい0.179μm^2セルを使用した512Kb SRAMを試作し,3桁以上のセル不良率改善を確認した. |
| 抄録(英) | We present a dual-power-supply SRAM with 0.179μm^2 cell in 40nm CMOS, which is 10% smaller than the SRAM scaling trend. To improve the cell stability, the level-programmable wordline driver and dynamic array supply control are introduced. The cell failure rate is improved more than three orders of magnitude. |
| キーワード(和) | 高密度SRAM / 2電源 / ワード線ドライバ |
| キーワード(英) | High-Density SRAM / Dual-Power-Supply / Wordline Driver |
| 資料番号 | ICD2009-5 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2009/4/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm^2セル2電源SRAM(メモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Process-Variation-Tolerant Dual-Power-Supply SRAM with 0.179μm^2 Cell in 40nm CMOS Using Level-Programmable Wordline Driver |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高密度SRAM / High-Density SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 2電源 / Dual-Power-Supply |
| キーワード(3)（和/英） | ワード線ドライバ / Wordline Driver |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤村 勇樹 / Yuki FUJIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平林 修 / Osamu HIRABAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川澄 篤 / Atsushi KAWASUMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 東 / Azuma SUZUKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 武山 泰久 / Yasuhisa TAKEYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 櫛田 桂一 / Keiichi KUSHIDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 佐々木 貴彦 / Takahiko SASAKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 片山 明 / Akira KATAYAMA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 深野 剛 / Gou FUKANO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 中里 高明 / Takaaki NAKAZATO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 志津木 康 / Yasushi SHIZUKI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 串山 夏樹 / Natsuki KUSHIYAMA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 矢部 友章 / Tomoaki YABE |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2009-04-14 |
| 資料番号 | ICD2009-5 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |