| 講演名 | 2009-04-13 FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM_[○!R](メモリ技術) 滋賀 秀裕, 高島 大三郎, 白武 慎一郎, 穂谷 克彦, 宮川 正, 荻原 隆, 福田 良, 滝澤 亮介, 初田 幸輔, 松岡 史宜, 長冨 靖, 橋本 大輔, 西村 久明, 日岡 健, 堂前 須弥子, |
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| 抄録(和) | 強誘電体メモリ(FeRAM)はDRAM並みの高速アクセスとフラッシュメモリ等の有する不揮発性とを兼ね備えており、次世代の半導体メモリとして期待されている。今回開発したFeRAMチップはChain FeRAM_[○!R]]アーキテクチャを採用して128Mbの大容量化に成功したほか、DRAMの代替を容易にするため高速DRAMの規格であるDDR2インターフェイスを搭載して1.6GB/sの高バンド幅を実現している。 |
| 抄録(英) | Ferroelectric RAMs (FeRAMs) are expected to be the next generation semiconductor memory for their fast access speed (comparable to DRAMs) and the non-volatility (like flash memories etc.). Our newly developed FeRAM chip is aimed at replacing DRAM. For that purpose, large capacity of 128Mb and high read/write bandwidth of 1.6GB/s are realized by introducing chain FeRAM_[○!R] architecture and adopting DDR2 interface. |
| キーワード(和) | 強誘電体メモリ / FeRAM |
| キーワード(英) | Ferroelectric memory / FeRAM |
| 資料番号 | ICD2009-1 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2009/4/6(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM_[○!R](メモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM_[○!R] with Scalable Octal Bitline and Sensing Schemes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体メモリ / Ferroelectric memory |
| キーワード(2)（和/英） | FeRAM / FeRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 滋賀 秀裕 / Hidehiro SHIGA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高島 大三郎 / Daisaburo TAKASHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白武 慎一郎 / Shin-ichiro SHIRATAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 穂谷 克彦 / Katsuhiko HOYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮川 正 / Tadashi MIYAKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 荻原 隆 / Ryu OGIWARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 福田 良 / Ryo FUKUDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 滝澤 亮介 / Ryosuke TAKIZAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 初田 幸輔 / Kosuke HATSUDA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 松岡 史宜 / Fumiyoshi MATSUOKA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 長冨 靖 / Yasushi NAGADOMI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 橋本 大輔 / Daisuke HASHIMOTO |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 西村 久明 / Hisaaki NISHIMURA |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 日岡 健 / Takeshi HIOKA |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 堂前 須弥子 / Sumiko DOHMAE |
| 第 15 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2009-04-13 |
| 資料番号 | ICD2009-1 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |