講演名 2009-04-14
カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM(メモリ技術)
吉本 秀輔, 井口 友輔, 奥村 俊介, 藤原 英弘, 野口 紘希, 新居 浩二, 川口 博, 吉本 雅彦,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 本論文では,低電圧動作,小面積10T SRAMセルを提案する.提案10Tセルは,従来10Tセルと比較して回路構成を単純化でき,セル面積を25%低減させることができる.また,放電パスを追加したことによりセル電流が21%増大し,ビット線遅延を34%短縮させることが可能となる.トランジスタを追加した事による書込みマージンの悪化を改善するためにカラム線(CL)制御回路を追加し,書込みを補助している.45nmプロセスを用いて試作,実測した結果,提案SRAMが0.56Vで動作可能であることを確認した
抄録(英) We present a small-area 10T SRAM cell without half selection problem. As well, the proposed 10T cell achieves a faster access time and low voltage operation. The cell area is reduced by 25%, and the cell current is increased by 21%, compared with the prior 10T cell. The minimum operating voltage is lowered by the column line assist (CLA) scheme that suppresses write margin degradation. By measurement, we confirmed that the proposed 128-kb SRAM works at 0.56V.
キーワード(和) SRAM / 低電圧動作
キーワード(英) SRAM / low-voltage operation
資料番号 ICD2009-6
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2009/4/6(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM(メモリ技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 0.56-V 128kb 10T SRAM Using Column Line Assist (CLA) Scheme
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM
キーワード(2)(和/英) 低電圧動作 / low-voltage operation
第 1 著者 氏名(和/英) 吉本 秀輔 / Shusuke Yoshimoto
第 1 著者 所属(和/英) 神戸大学工学部
Kobe University
第 2 著者 氏名(和/英) 井口 友輔 / Yusuke Iguchi
第 2 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Kobe University
第 3 著者 氏名(和/英) 奥村 俊介 / Shunsuke Okumura
第 3 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Kobe University
第 4 著者 氏名(和/英) 藤原 英弘 / Hidehiro Fujiwara
第 4 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Kobe University
第 5 著者 氏名(和/英) 野口 紘希 / Hiroki Noguchi
第 5 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Kobe University
第 6 著者 氏名(和/英) 新居 浩二 / Koji Nii
第 6 著者 所属(和/英) ルネサステクノロジー
Renesas Technology
第 7 著者 氏名(和/英) 川口 博 / Hiroshi Kawaguchi
第 7 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Kobe University
第 8 著者 氏名(和/英) 吉本 雅彦 / Masahiko Yoshimoto
第 8 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Kobe University
発表年月日 2009-04-14
資料番号 ICD2009-6
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 2
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日