講演名 2009-04-13
低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?(メモリ技術)
日高 秀人, 山岡 雅直, 宮野 信冶, 秋山 悟, 杉林 直彦, 川嶋 将一郎, 尾坂 匡隆,
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抄録(和)
抄録(英) A panel discussion session will high-light low-voltage memory trends, limitations, and future prospects by discussing on; (1) What is the true low-voltage/low-power requirements for memories in various systems and SoC? (2) Voltage scalability and power reduction capability in various memory technologies. (3) Possible revolutionary memory replacement and/or memory evolution schemes intended for low-voltage/low-power SoC.
キーワード(和) 低電圧メモリ / 低消費電力メモリ / SRAM / DRAM / フラッシュメモリ / 新規メモリ / 不揮発性RAM
キーワード(英) low-voltage memory / low-power memory / SRAM / DRAM / flash memory / emerging memory / NV-RAM
資料番号 ICD2009-4
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2009/4/6(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?(メモリ技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Which memory technology will win the low-voltage race in SoC?
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 低電圧メモリ / low-voltage memory
キーワード(2)(和/英) 低消費電力メモリ / low-power memory
キーワード(3)(和/英) SRAM / SRAM
キーワード(4)(和/英) DRAM / DRAM
キーワード(5)(和/英) フラッシュメモリ / flash memory
キーワード(6)(和/英) 新規メモリ / emerging memory
キーワード(7)(和/英) 不揮発性RAM / NV-RAM
第 1 著者 氏名(和/英) 日高 秀人 / Hideto HIDAKA
第 1 著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ・マイコン統括本部
Renesas Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 山岡 雅直 / Masanao YAMAOKA
第 2 著者 所属(和/英) 日立製作所・中央研究所
Hitachi
第 3 著者 氏名(和/英) 宮野 信冶 / Shinji MIYANO
第 3 著者 所属(和/英) 東芝・セミコンダクター社・半導体研究開発センター
Toshiba
第 4 著者 氏名(和/英) 秋山 悟 / Satoru AKIYAMA
第 4 著者 所属(和/英) 日立製作所・中央研究所
Hitachi
第 5 著者 氏名(和/英) 杉林 直彦 / Tadahiko SUGIBAYASHI
第 5 著者 所属(和/英) 日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
NEC
第 6 著者 氏名(和/英) 川嶋 将一郎 / Shoichiro KAWASHIMA
第 6 著者 所属(和/英) 富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
Fujitsu
第 7 著者 氏名(和/英) 尾坂 匡隆 / Masataka OSAKA
第 7 著者 所属(和/英) パナソニック・戦略半導体開発センター
Panasonic
発表年月日 2009-04-13
資料番号 ICD2009-4
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 2
ページ範囲 pp.-
ページ数 19
発行日