| 講演名 | 2009-04-13 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術) 秋山 悟, 関口 知紀, 竹村 理一郎, 小田部 晃, 伊藤 清男, |
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| 抄録(和) | はじめに大容量DRAMの技術動向を述べる.次にサブ1-V DRAM実現に不可欠な低しきい値高感度動的制御センスアンプを提案する.提案センスアンプは内蔵する高感度アンプを動的制御することにより,高速センス動作,高速I/O駆動,低リーク動作を可能とする.70nmプロセスにおいて128MbのDRAMコアを試作し,アレイ電圧0.9Vにおいて,16.4nsのロウアクセス時間(tRCD),14.3nsのリードアクセス時間(tAA)で動作することを確認した.また提案センスアンプは低しきい値MOSを利用するため,そのしきい値電圧バラツキを低減できる,すなわち,センスアンプのオフセットを低減できるため将来のサブ1-V DRAM動作実現に非常に有望な技術である. |
| 抄録(英) | We start by describing the trend in multi-gigabit DRAM technology. Next, we present a new sensing scheme with a low-V_t gated preamplifier for producing sub-1-V DRAM array. Temporary activation of the preamplifier achieves fast sensing, fast local I/O driving and low-leakage operation simultaneously even for low-voltage mid-point sensing. The features are verified with a 70-nm 128-Mb DRAM core that demonstrates 16.4-ns row access (tRCD) and 14.3-ns read access (tAA) at an array voltage of 0.9V. The sense amplifier is promising for future sub-1-V gigabit DRAMs because it reduces variation in threshold voltage of MOSFETs and in the offset voltage of sense amplifiers. |
| キーワード(和) | DRAM / Low voltage / Sense amplifier / Threshold voltage variation |
| キーワード(英) | DRAM / Low voltage / Sense amplifier / Threshold voltage variation |
| 資料番号 | ICD2009-2 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2009/4/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Trend in Multi-Gigabit DRAM Technology and Low-V_t Small-Offset Gated Preamplifier for Sub-1-V Gigabit Arrays |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | Low voltage / Low voltage |
| キーワード(3)（和/英） | Sense amplifier / Sense amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | Threshold voltage variation / Threshold voltage variation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 秋山 悟 / Satoru AKIYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 関口 知紀 / Tomonori SEKIGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹村 理一郎 / Riichiro TAKEMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小田部 晃 / Akira KOTABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊藤 清男 / Kiyoo ITOH |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 発表年月日 | 2009-04-13 |
| 資料番号 | ICD2009-2 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |