エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2000/06/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]
ED2000-44 / SDM2000-44 A Study on the Characteristics of High Performance Self-Aligned Asymmetric Structure (SAAS)

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-44,SDM2000-44
0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール

野口 隆,  窪田 通孝,  山本 博士,  松本 光市,  山岸 万千雄,  

[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-45,SDM2000-45
ED2000-46 / SDM2000-46 Analysis of a High Performance Self-Aligned Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain-Leakage

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-46,SDM2000-46
低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)

日野出 憲治,  近藤 誠一,  古澤 健志,  佐久間 憲之,  龍崎 大介,  武田 健一,  町田 俊太郎,  後藤 康,  山口 日出,  本間 喜夫,  

[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-47,SDM2000-47
ED2000-48 / SDM2000-48 Sub 4-nm Polyoxide Using ECR (Electron Cyclotron Resonance) N_2O Plasma Oxidation

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-48,SDM2000-48
酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用

金廣 正彦,  植田 康之,  木本 恒暢,  松波 弘之,  

[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-49,SDM2000-49
ED2000-50 / SDM2000-50 Oxidation Behaviors of Ti-Polycide Gate Stack During Gate Re-oxidation

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-50,SDM2000-50
化合物半導体量子デバイスの展望と課題

長谷川 英機,  葛西 誠也,  

[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-51,SDM2000-51
ASETにおける100nm以降のリソグラフィ研究

岡崎 信次,  

[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-52,SDM2000-52
ED2000-53 / SDM2000-53 A Novel Integration Technology for Gigabit DRAM with 0.115μm Design Rule

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-53,SDM2000-53
ED2000-54 / SDM2000-54 Microprocessor Technologies beyond GHz

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-54,SDM2000-54
多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路の評価と3値D-FF回路への応用

植村 哲也,  馬場 寿夫,  

[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-55,SDM2000-55
Si(111)上CdF_2-CaF_2二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

渡辺 正裕,  舟山 敏之,  寺地 耐志,  酒巻 直人,  

[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-56,SDM2000-56
InAs量子ドットを埋め込んだAlGaAs/GaAs HFETのメモリ動作 : 室温の近くでの電気的な書き込みと消去

Nolde J.,  稲吉 崇,  岸本 茂,  水谷 孝,  

[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-57,SDM2000-57
ED2000-58 / SDM2000-58 Implementation of single electron circuit simulation by SPICE: KOSEC-SPICE

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-58,SDM2000-58
ED2000-59 / SDM2000-59 Calculation of Electrical Transport Properties for Novel Single Gated Single Electron Transistors

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-59,SDM2000-59
単層カーボンナノチューブのナノエレクトロニクス素子への応用

松本 和彦,  後藤 芳孝,  木下 誠三,  石井 正己,  

[発表日]2000/6/21
[資料番号]ED2000-60,SDM2000-60
[OTHERS]

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[発表日]2000/6/21
[資料番号]