| 講演名 | 2000/6/21 ED2000-53 / SDM2000-53 A Novel Integration Technology for Gigabit DRAM with 0.115μm Design Rule , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A novel integration technology employing selective-epitaxial plug scheme prior to ILD1 and Pre-Poly Plug scheme for storage node contacts prior to ILD2 has been tested using E-Beam direct-writing tool. Shallow trench isolation and MIM capacitor scheme were adopted. Epi-Si plug selectively grown on active open areas reduce the contact resistance and improves its uniformity compared to conventional poly plug. Pre-poly-plug scheme for storage node contacts before ILD2 gapfill under COB type capacitor will have advantages in less thermal budget in ILD2 gapfill and reduced bitline capacitance. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Si Epi Plug / Pre Poly Plug / Contact resistance / Thermal budget |
| 資料番号 | ED2000-53,SDM2000-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/6/21(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-53 / SDM2000-53 A Novel Integration Technology for Gigabit DRAM with 0.115μm Design Rule |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Si Epi Plug |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Hyunpil Noh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Hyundai Microelectronics Co, LTD. |
| 発表年月日 | 2000/6/21 |
| 資料番号 | ED2000-53,SDM2000-53 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 150 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |