| 講演名 | 2000/6/21 ED2000-54 / SDM2000-54 Microprocessor Technologies beyond GHz , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Aggressive transistor scaling has been the key factor for high performance microprocessor fabrication. As a result, the gate oxide is now in a regime that large direct tunneling leakage current might cause a serious circuit instability, reliability problem and high power consumption. Ultra-shallow S / D extension is also a limiting factor in terms of the trade-off between short-channel effect suppression and high series resistance. The threshold voltage scaling limit due to the signal-to-noise margin makes hard to meet the transistor performance target for low power supply voltage. SOI device provides an attractive solution in terms of low voltage / power operation and improved performance. However, its inherent floating body effects must be carefully engineered for the successful circuit integration. Pass-gate leakage current and history-dependent switching delay are the most important issues to be addressed. Future sub-0.13μm generation will requir SOI device architecture with new gate dielectric, elevated S / D extension and metal gate electrode. Interconnect delay is another significant factor in chip performance. Future interconnect technology will require a new material such as Cu with low resistivity and high electromigration resistance, as well as low-k intermetal dielectrics (MD) with reliable thermal and electrical properties. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Microprocessor / gate oxide / direct-tunneling / shallow junction / SOI / pass-gate leakage / dynamic instability / interconnect / Cu / resistivity / electromigration / HSQ / line-to-line capacitance |
| 資料番号 | ED2000-54,SDM2000-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/6/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-54 / SDM2000-54 Microprocessor Technologies beyond GHz |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Microprocessor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jeong-Hwan Yang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Samsung Electronics Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2000/6/21 |
| 資料番号 | ED2000-54,SDM2000-54 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 150 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |