| 講演名 | 2000/6/21 ED2000-50 / SDM2000-50 Oxidation Behaviors of Ti-Polycide Gate Stack During Gate Re-oxidation , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We examined oxidation behaviors at sidewall of TiSi_2 / polysilicon gate stack at temperatures of 700-850℃. Oxidation at above 800℃ caused an abnormally enhanced oxidation of TiSi_2-sidewall, which was not observed in unpatterned TiSi_2 / polysilicon stack, regardless of oxidation ambient. High-resolution transmission electron microscopy study showed that SiO_2-TiO_2 mixture was produced as a result of the enhanced oxidation of TiSi_2 film, indicating Ti-oxidation more dominantly occurred during the oxidation. This unexpected result was attributed to the structural aspect, i.e., simultaneous exposure of TiSi_2 and polysilicon during oxidation. LDD structured TiSi_2 / polysilicon gate was successfully fabricated using gate re-oxidation at 750℃ without degradation of sheet resistance. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Ti-polycide gate / gate re-oxidation / abnormal oxidation |
| 資料番号 | ED2000-50,SDM2000-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/6/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-50 / SDM2000-50 Oxidation Behaviors of Ti-Polycide Gate Stack During Gate Re-oxidation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Ti-polycide gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Tae-Kyun Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | HYUNDAI Electronics Industries Co. Ltd., Memory R&D Division |
| 発表年月日 | 2000/6/21 |
| 資料番号 | ED2000-50,SDM2000-50 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 150 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |