エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2004/11/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/11/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/11/4
[資料番号]
トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)

鶴間 隆一,  森本 貫太郎,  成田 克,  安井 寛治,  赤羽 正志,  

[発表日]2004/11/4
[資料番号]CPM2004-127
Si(111)へのC^+イオン注入によるc-SiC/Si構造基板上へのGaN、InNのヘテロエピ成長(薄膜プロセス・材料,一般)

小林 隆弘,  橋本 明弘,  山本 嵩勇,  

[発表日]2004/11/4
[資料番号]CPM2004-128
カーボンナノチューブ複合電極の電界電子放出特性(薄膜プロセス・材料,一般)

長谷川 洋祐,  稲垣 優人,  須澤 孝昭,  前沢 洋介,  林部 林平,  阿部 克也,  上村 喜一,  新井 進,  遠藤 守信,  

[発表日]2004/11/4
[資料番号]CPM2004-129
Cu/VN/SiOC/Si系における極薄VNバリヤの特性(薄膜プロセス・材料,一般)

武山 真弓,  水野 源大,  若林 佳恵,  野矢 厚,  

[発表日]2004/11/4
[資料番号]CPM2004-130
格子整合させたランダム配向ZrNバリヤ上でのCu(111)面の高配向成長(薄膜プロセス・材料,一般)

佐藤 勝,  武山 真弓,  野矢 厚,  

[発表日]2004/11/4
[資料番号]CPM2004-131
対向ターゲット式反応性スパッタ法によるCu-Al-O薄膜の作製と熱処理効果(薄膜プロセス・材料,一般)

小方 淳也,  伊藤 雄二,  坪井 望,  小林 敏志,  清水 英彦,  加藤 景三,  金子 双男,  

[発表日]2004/11/4
[資料番号]CPM2004-132
スパッタ法によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)

高橋 友規,  星 陽一,  川口 茂利,  鈴木 英佐,  神谷 攻,  

[発表日]2004/11/4
[資料番号]CPM2004-133
加熱触媒体により発生させた水素原子によるプラズマレス・レジスト剥離技術(薄膜プロセス・材料,一般)

増田 淳,  橋本 康平,  高尾 和久,  石橋 知淳,  松村 英樹,  

[発表日]2004/11/4
[資料番号]CPM2004-134
複写される方へ

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[発表日]2004/11/4
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/11/4
[資料番号]