| 講演名 | 2004/11/4 トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般) 鶴間 隆一, 森本 貫太郎, 成田 克, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
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| 抄録(和) | プラズマの陰極-陽極間にメッシュ状第三電極を挿入したトライオードプラズマCVD法により、モノメチルシラン(MMS)とジメチルシラン(DMS)を原料にSi基板、Si熱酸化膜上への炭化ケイ素(SiC)の低温成長を試みた。成長温度600[℃]においてXRDスペクトルよりMMSを原料に用いることで、(110)配向優位な結晶膜の成長が見られた。さらに、ステンレス基板にスパッタコートされたSiO_2膜上へのSiCの低温成長を試みたところ、成長温度550[℃]で(110)配向膜の成長を確認した。van der Pauw法を用いて(110)配向SiC膜の電気的特性の評価も行った。 |
| 抄録(英) | Silicon carbide crystalline films were grown on thermal oxide layer (SiO_2) on Si substrates and sputtered SiO_2 layer on stainless steel substrates by triode plasma chemical vapor deposition method using monomethylsilane (MMS) and dimehylsilane (DMS) diluted with hydrogen as source gases. Under a negative grid bias condition, (110) orieted SiC crystal films were grown on SiO_2/Si substrates at 600[℃] using MMS. Electrical properties of the (110) oriented SiC films such as resistivity, carrier concentration and hall mobility were measured using van der Pauw method. |
| キーワード(和) | 炭化ケイ素 / トライオードプラズマCVD / モノメチルシラン / ジメチルシラン |
| キーワード(英) | silicon carbide / triode plasma CVD / monomethylsilane / dimehylsilane |
| 資料番号 | CPM2004-127 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/11/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature growth of (110)-orientated SiC films by triode plasma CVD method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化ケイ素 / silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | トライオードプラズマCVD / triode plasma CVD |
| キーワード(3)（和/英） | モノメチルシラン / monomethylsilane |
| キーワード(4)（和/英） | ジメチルシラン / dimehylsilane |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鶴間 隆一 / Ryuichi TSURUMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森本 貫太郎 / Kantarou MORIMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 成田 克 / Yuzuru NARITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2004/11/4 |
| 資料番号 | CPM2004-127 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 425 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |