講演名 2004/11/4
Cu/VN/SiOC/Si系における極薄VNバリヤの特性(薄膜プロセス・材料,一般)
武山 真弓, 水野 源大, 若林 佳恵, 野矢 厚,
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抄録(和) 微細化Cu配線において抵抗-容量の積(RC)による信号遅延が回路での信号伝達速度を遅くしている主な原因である。RC遅延の低減のため、フィールド絶縁膜として低誘電率材料(low-k)の適用が検討されている。本研究では、10nm程度以下の極薄VNバリヤをlow-k材料を用いたCu/VN/SiOC/Si系におけるバリヤ特性について検討した。この系では、500℃で30分の熱処理までは熱処理に伴うバリヤの構造変化あるいは界面反応は生じず、熱的安定性に優れていることを示した。この要因としてVNバリヤが化学的安定性と構造的な安定性の優れた特性を有するからである。さらに、低抵抗率であるVNバリヤの適用はTaもしくはTaNバリヤよりも低抵抗であることからRC遅延の低減にも有効である。よって、VNバリヤは65nmテクノロジーノードにおけるCu配線とCVD-SiOC層との間にも適用できることが明らかとなった。
抄録(英) As the Cu interconnect feature size decreases, the signal delay due to resistance-capacitance (RC) product becomes the major limitation to achieve faster circuit speeds. In order to reduce the RC time delays, an application of low dielectric constant materials (low-k) as a field insulating layer has examined. In the present study, the thin VN barrier with ~10 nm in thickness is examined as the barrier in the Cu/VN/SiOC/Si system with the low-k material. The system showed the excellent thermal stability after annealing at 500℃ higher for 30 min without structural change of the barrier and interfacial reaction in the system due to annealing. This is because the VN barrier has excellent properties in chemical stability and in structural stability. Moreover, the application of the VN barrier with low resistivity is also effective to reduce the RC delays, because the VN barrier is lower in resistivity than the Ta or TaN barrier. Therefore, the VN barrier can be applicable between the Cu interconnect and CVD-SiOC layer as the 65nm-node technology.
キーワード(和) Si-ULSI / Cu配線 / low-k / VN / 拡散バリヤ
キーワード(英) Si-ULSI / Cu interconnects / low-k / VN / diffusion barrier
資料番号 CPM2004-130
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2004/11/4(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Cu/VN/SiOC/Si系における極薄VNバリヤの特性(薄膜プロセス・材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Characteristic of Thin VN Barrier in Cu/VN/SiOC/Si System
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Si-ULSI / Si-ULSI
キーワード(2)(和/英) Cu配線 / Cu interconnects
キーワード(3)(和/英) low-k / low-k
キーワード(4)(和/英) VN / VN
キーワード(5)(和/英) 拡散バリヤ / diffusion barrier
第 1 著者 氏名(和/英) 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA
第 1 著者 所属(和/英) 北見工業大学工学部
Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 水野 源大 / Genta MIZUNO
第 2 著者 所属(和/英) 北見工業大学工学部
Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 若林 佳恵 / Yoshie WAKABAYASHI
第 3 著者 所属(和/英) 北見工業大学工学部:(現)(株)フォーラムエンジニアリング
Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology:(Present address)Forum Engineering Inc.
第 4 著者 氏名(和/英) 野矢 厚 / Atsushi NOYA
第 4 著者 所属(和/英) 北見工業大学工学部
Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology
発表年月日 2004/11/4
資料番号 CPM2004-130
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 425
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日