| 講演名 | 2004/11/4 スパッタ法によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(薄膜プロセス・材料,一般) 高橋 友規, 星 陽一, 川口 茂利, 鈴木 英佐, 神谷 攻, |
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| 抄録(和) | スパッタ法によりTiO_2膜を作製する場合、金属から酸化物への遷移領域の存在のために、TiO_2膜を高速度で成膜することが困難となることが知られている。本研究ではシミュレーションと実験により、遷移領域を無くしてTiO_2膜を安定に高速度で堆積する方法について検討し、以下の結果を得た。(1)金属ターゲットを用いる場合、ターゲット面積に比べて基板の面積ができるだけ大きくなるようなターゲット・基板配置を取ることが有効であること、(2)ターゲットから酸素を供給できる酸化物ターゲットを用いる方法は高速スパッタに有効であること、(3)2個のターゲットを用いてスパッタする方法では、遷移領域を無くすことができず、高速成膜の実現は困難である。 |
| 抄録(英) | It is well known that deposition rate decreases remarkably when TiO_2 films are deposited by reactive sputtering of titanium target. This is mainly due to a drastic decrease of deposition rate at transition region where titanium target surface is covered with oxide layer, that is, the sputtering yield of Ti atoms from the TiO_2 Suface layer is very low. In this study, high rate deposition method was investigated by both computer simulation and experimental, and following results were obtained. (1)High rate deposition can be realized by introducing a large area ratio of substrate to target in the reactive sputtering of titanium target. (2)Oxide target is useful to realize a high rate deposition. (3)Two targets sputtering method is not effective to eliminate the transition region in the reactive sputtering, so that high rate deposition cannot be realized by the method. |
| キーワード(和) | TiO_2薄膜 / 反応性スパッタ / 高速成膜 / 計算機シミュレーション |
| キーワード(英) | TiO_2 thin film / reactive sputtering / high rate sputtering / computer simulation |
| 資料番号 | CPM2004-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/11/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ法によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of High Rate Sputtering Method for the Deposition of TiO_2 Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TiO_2薄膜 / TiO_2 thin film |
| キーワード(2)（和/英） | 反応性スパッタ / reactive sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | 高速成膜 / high rate sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 計算機シミュレーション / computer simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 友規 / Tomoki TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Yoichi HOSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川口 茂利 / Shigetoshi KAWAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 英佐 / Eisuke SUZUKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 神谷 攻 / Osamu KAMIYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | キヤノン株式会社生産技術研究所 Production Engineering Research Laboratory, Cannon INC. |
| 発表年月日 | 2004/11/4 |
| 資料番号 | CPM2004-133 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 425 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |