| 講演名 | 2004/11/4 格子整合させたランダム配向ZrNバリヤ上でのCu(111)面の高配向成長(薄膜プロセス・材料,一般) 佐藤 勝, 武山 真弓, 野矢 厚, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Si-ULSIにおけるCu配線にとって、エレクトロマイグレーション耐性の向上には、(111)面を高配向成長させることが重要である。本研究では、ランダム配向のZrNバリヤ上でのCu(111)の高配向成長を検討し、ZrN膜を極めて窒素過剰な状態で成膜することにより、Cu(111)との格子整合が得られるようにZrNの格子定数を調整し、Cu(111)がランダム配向のバリヤ上で成膜出来ることを見出した。さらにZrNバリヤはCu(111)を高配向成長させるだけでなく、優れたバリヤ特性をも実現できる有用なバリヤ材料であることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | In Si-ULSI metallization technology, the growth of a Cu(111) preferentially oriented film is an important factor in the improvement of the electromigration reliability. We examined the application of a randomly oriented ZrN film with an extremely N-rich composition as a diffusion barrier, on which a highly oriented Cu(111) film will be obtained. This is because the good lattice matching between the ZrN(111) and Cu(111) planes is obtained by expanding the ZrN lattice due to incorporating the excess nitrogen atoms into the ZrN film. It is revealed that the Cu(111) preferred orientation (ω-FWHM value of ～5°) is realized on the randomly oriented ZrN barrier with good barrier properties. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 格子整合 / エレクトロマイグレーション / Cu(111)高配向成長 / ランダム配向膜 |
| キーワード(英) | Cu interconnect / lattice matching / Cu(111) preferential orientation / randomly oriented films / electromigration |
| 資料番号 | CPM2004-131 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/11/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 格子整合させたランダム配向ZrNバリヤ上でのCu(111)面の高配向成長(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of preferentially oriented Cu(111) layer on randomly oriented ZrN barrier in Cu/ZrN/Si contact |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnect |
| キーワード(2)（和/英） | 格子整合 / lattice matching |
| キーワード(3)（和/英） | エレクトロマイグレーション / Cu(111) preferential orientation |
| キーワード(4)（和/英） | Cu(111)高配向成長 / randomly oriented films |
| キーワード(5)（和/英） | ランダム配向膜 / electromigration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru SATOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Enginnering Kitami Inst. of Technol |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Enginnering Kitami Inst. of Technol |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Enginnering Kitami Inst. of Technol |
| 発表年月日 | 2004/11/4 |
| 資料番号 | CPM2004-131 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 425 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |