基礎・境界/NOLTA-VLSI設計技術(開催日：2005/09/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/9/20
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/9/20
[資料番号]
ロードマップから見たTCAD技術(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

和田 哲典,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-42,SDM2005-161
インバースモデルシステムの開発と二次元プロファイル抽出(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

小松原 弘毅,  筒井 将史,  和田 哲典,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-43,SDM2005-162
ゲート界面のポテンシャルのゆらぎに起因するトランジスタ特性のばらつき解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

芦澤 芳夫,  岡 秀樹,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-44,SDM2005-163
誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

村島 健介,  小宮 健治,  大村 泰久,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-45,SDM2005-164
電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

田辺 亮,  山崎 隆浩,  芦澤 芳夫,  岡 秀樹,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-46,SDM2005-165
ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

土屋 英昭,  小田 梓,  藤井 一也,  三好 旦六,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-47,SDM2005-166
空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

酒井 敦,  鎌倉 良成,  谷口 研二,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-48,SDM2005-167
量子効果シミュレーションにおける表面電子密度の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

高荷 敏行,  鳥谷部 達,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-49,SDM2005-168
Density Gradient法を用いたMOSFET、DGSOI、TriGateSOIの計算(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

高篠 裕行,  大倉 康幸,  遠田 利之,  和田 哲典,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-50,SDM2005-169
自立シリコン板における音響フォノン散乱(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

森 伸也,  宇野 重康,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-51,SDM2005-170
強反転領域におけるSGTの移動度増加(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

坂本 渉,  羽田 秀生,  桜庭 弘,  中村 広記,  舛岡 富士雄,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-52,SDM2005-171
Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

羽田 秀生,  坂本 渉,  ペシック イリヤ,  中村 広記,  桜庭 弘,  舛岡 富士雄,  

[発表日]2005/9/20
[資料番号]VLD2005-53,SDM2005-172
複写される方へ

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[発表日]2005/9/20
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/9/20
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/9/20
[資料番号]