| 講演名 | 2005/9/20 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 田辺 亮, 山崎 隆浩, 芦澤 芳夫, 岡 秀樹, |
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| 抄録(和) | 歪みSi技術は, 短チャネル効果などとは異なり, 微細化に対しても優位性を保つ技術として依然関心が高い.しかし, 学会レベルでは, sub-10nmデバイスも報告されており, このようなデバイス領域においても本来の優位性が保たれるかは, 十分に検討する必要がある.そこで, 我々は, 第一原理擬ポテンシャルバンド計算プログラムと直接リンクした, フルバンド・モンテカルロ・シミュレーションにより, 歪みSiデバイスにおけるスケーリングの検討を行った.また, 電流方向の異方性についての検討も行った.その結果, 電子, 正孔ともに, スケーリングとともに歪みの効果は得にくくなるが, 特に<100>方向で, 10nmを切る領域からBallistic伝導するキャリアが増加し, 依然歪みの効果は期待できる事が分かった.歪みによる効果とBallistic伝導は密接に関わっており, 今後も詳細な検討が必要であると考えられる. |
| 抄録(英) | Strained-Si technology gives us very high interests as it has high advantages for device scaling. At the academic society level, sub-10nm devices are reported. However, it is necessary to examine whether original advantages are kept enough in such a device area. Then, we linked directly with the first principle pseudo-potential band calculation program, and examined the scaling in strained-Si device by full band Monte Carlo simulation. And the examination of anisotropic in the direction of the current was done. As a result, with scaling it will become difficult to obtain the advantages of the strain for both electrons and holes. But, below 10nm regime, ballistic carriers increase in especially <100> direction, and the merits of the strain can be still expected. The effect due to strain and the ballistic transport are closely related, and further detailed examinations are necessary in the future. |
| キーワード(和) | フルバンド / モンテカルロ法 / 第一原理計算 / 擬ポテンシャル / バリスティック |
| キーワード(英) | Full Band / Monte Carlo / FALCON / first principle calculation / pseudo potential / DGMOS / ballistic |
| 資料番号 | VLD2005-46,SDM2005-165 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2005/9/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of the Scaling Feasibility in Strained Si Device Including Current Direction Dependencies |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フルバンド / Full Band |
| キーワード(2)（和/英） | モンテカルロ法 / Monte Carlo |
| キーワード(3)（和/英） | 第一原理計算 / FALCON |
| キーワード(4)（和/英） | 擬ポテンシャル / first principle calculation |
| キーワード(5)（和/英） | バリスティック / pseudo potential |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田辺 亮 / Ryo Tanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山崎 隆浩 / Takahiro Yamasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 芦澤 芳夫 / Yoshio Ashizawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡 秀樹 / Hideki Oka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2005/9/20 |
| 資料番号 | VLD2005-46,SDM2005-165 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 308 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |