| 講演名 | 2005/9/20 量子効果シミュレーションにおける表面電子密度の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 高荷 敏行, 鳥谷部 達, |
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| 抄録(和) | MOSFETのDensity Gradient Modelにおける境界条件としての表面電子密度は定数として非常に小さい値とされているが、実際はゲート電圧の印加とともにある程度まで大きくなる。この表面電子密度のモデル化を行ない、その表面電荷密度が与える電気的特性を検討した。結果として、境界条件として上記の表面電子密度の違いは電気的特性には、ほとんど影響しないことがわかり定数として非常に小さい定数値でもよいことを示した。 |
| 抄録(英) | Surface electron density as a boundary condition in Density gradient model of MOSFETs is assumed to be vanishingly small values as a constant. However, it increases to some extent for high gate voltages. This surface electron density is modeled, and electrical properties which are obtained from the surface electron density model are examined. It turned out that the difference in the surface electron density models hardly gives influence to the electrical properties. That is, it was shown that constants of small values for the surface electron density are sufficient as a constant. |
| キーワード(和) | 量子効果 / 表面電子密度 / 表面ポテンシャル |
| キーワード(英) | quantum effects / surface electron density / surface potential |
| 資料番号 | VLD2005-49,SDM2005-168 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2005/9/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 量子効果シミュレーションにおける表面電子密度の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface electron density in a quantum effect simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子効果 / quantum effects |
| キーワード(2)（和/英） | 表面電子密度 / surface electron density |
| キーワード(3)（和/英） | 表面ポテンシャル / surface potential |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高荷 敏行 / Toshiyuki TAKANI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東洋大学大学院工学研究科 Graduate school of Engineering, Toyo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鳥谷部 達 / Toru TOYABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東洋大学大学院工学研究科 Graduate school of Engineering, Toyo University |
| 発表年月日 | 2005/9/20 |
| 資料番号 | VLD2005-49,SDM2005-168 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 308 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |