| 講演名 | 2005/9/20 ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 土屋 英昭, 小田 梓, 藤井 一也, 三好 旦六, |
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| 抄録(和) | 量子補正モンテカルロシミュレーションを用いて, 極微細MOSFETの準バリスティック量子輸送特性について検討を行った.その結果, バリスティック輸送の影響は, チャネル長が20nm程度になると現れ始め, 準バリスティック輸送効果によりサブ10nmの領域まで電流駆動力が連続的に向上することが分かった.また, ソース端近傍だけでなく, チャネル全域の散乱がドレイン電流の決定に影響することが分かった。さらに, ナノスケールのチャネル長では, 従来とは異なり, バレー間フォノン散乱とプラズモン散乱が主要な散乱要因となることが分かった. |
| 抄録(英) | We report studies on quasi-ballistic and quantum mechanical transport of nano-scaled MOSFETs based upon a quantum-corrected Monte Carlo device simulation. We have found that when the channel length becomes shorter than a few ten nanometers, the current drive enhances due to an increase of ballistic electrons. Further, we have found that overall scattering events throughout the channel region are important to estimate the drain current accurately, and scattering mechanisms governing the drain current are different between longer and shorter channel devices. |
| キーワード(和) | ナノスケールMOSFET / 量子輸送 / 準バリスティック輸送 / 量子補正モンテカルロ法 |
| キーワード(英) | nano-scaled MOSFET / quantum transport / quasi-ballistic transport / quantum-corrected Monte Carlo method |
| 資料番号 | VLD2005-47,SDM2005-166 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2005/9/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Carrier Scattering Limited Drive Current in Nano-Scaled MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノスケールMOSFET / nano-scaled MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 量子輸送 / quantum transport |
| キーワード(3)（和/英） | 準バリスティック輸送 / quasi-ballistic transport |
| キーワード(4)（和/英） | 量子補正モンテカルロ法 / quantum-corrected Monte Carlo method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土屋 英昭 / Hideaki TSUCHIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小田 梓 / Azusa Oda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 一也 / Kazuya FUJII |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三好 旦六 / Tanroku MIYOSHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 発表年月日 | 2005/9/20 |
| 資料番号 | VLD2005-47,SDM2005-166 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 308 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |