| 講演名 | 2005/9/20 自立シリコン板における音響フォノン散乱(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 森 伸也, 宇野 重康, |
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| 抄録(和) | 極めて薄いSi SOI MOSFETにおける電子輸送特性に音響フォノンの変調効果が与える影響を調べるため, Si板における音響フォノンモードを計算し, その結果を用いて電子移動度を求めた.得られた結果とバルク音響フォノンを用いた結果とを比較することにより, バルクモデルの妥当性について検討を行った. |
| 抄録(英) | To clarify effects of acoustic phonon modification on the transport characteristics in ultra-thin Si SOI MOSFETs, we numerically calculated the electron mobility in a free-standing Si slab with taking into account the confined acoustic phonon spectrum. The obtained results are then compared with those calculated within a bulk phonon model. |
| キーワード(和) | 音響フォノン / 電子移動度 |
| キーワード(英) | SOI MOSFET / acoustic phonon / electron mobility |
| 資料番号 | VLD2005-51,SDM2005-170 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2005/9/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 自立シリコン板における音響フォノン散乱(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Acoustic Phonon Scattering in a Free-Standing Silicon Slab |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 音響フォノン / SOI MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 電子移動度 / acoustic phonon |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 伸也 / Nobuya MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宇野 重康 / Shigeyasu UNO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | クレアモント大学院大学数理科学部 School of Mathematical Sciences, Claremont Graduate University |
| 発表年月日 | 2005/9/20 |
| 資料番号 | VLD2005-51,SDM2005-170 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 308 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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