エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2008/06/02)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2008/6/2
[資料番号]
目次

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[発表日]2008/6/2
[資料番号]
高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望(ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

高木 信一,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-42
化合物半導体電子デバイス開発の軌跡(ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大野 泰夫,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-43
Si反転層中のホールサブバンド分散(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

武田 さくら,  森田 誠,  大杉 拓也,  谷川 洋平,  大門 寛,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-44
MOS反転層モビリティの高精度評価(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

鳥海 明,  喜多 浩之,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-45
シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

齋藤 真澄,  小林 茂樹,  内田 建,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-46
極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

平本 俊郎,  清水 健,  筒井 元,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-47
歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

清家 綾,  丹下 智之,  佐野 一拓,  杉浦 裕樹,  土田 育新,  太田 洋道,  渡邉 孝信,  小瀬村 大亮,  小椋 厚志,  大泊 巌,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-48
III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

安田 哲二,  宮田 典幸,  大竹 晃浩,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-49
Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

森 大樹,  大田 晃生,  吉永 博路,  宮崎 誠一,  門島 勝,  奈良 安雄,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-50
High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

岩本 邦彦,  上牟田 雄一,  布重 裕,  平野 晃人,  小川 有人,  渡邉 幸宗,  右田 真司,  水林 亘,  森田 行則,  高橋 正志,  太田 裕之,  生田目 俊秀,  鳥海 明,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-51
TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大田 晃生,  森 大樹,  吉永 博路,  宮崎 誠一,  門島 勝,  奈良 安雄,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-52
Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

山本 喜久,  富樫 秀晃,  今野 篤史,  松本 光正,  加藤 篤,  齋藤 英司,  末光 眞希,  寺岡 有殿,  吉越 章隆,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-53
MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

近藤 博基,  櫻井 晋也,  酒井 朗,  小川 正毅,  財満 鎭明,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-54
MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

白石 賢二,  小林 賢司,  石田 猛,  奥山 裕,  山田 廉一,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-55
金属ナノドットを有する不揮発性メモリの基本特性(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

裴 艶麗,  西嶋 雅彦,  福島 誉史,  田中 徹,  小柳 光正,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-56
High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

小原 孝介,  浦岡 行治,  冬木 隆,  山下 一郎,  八重樫 利武,  茂庭 昌弘,  吉丸 正樹,  

[発表日]2008/6/2
[資料番号]SDM2008-57
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[発表日]2008/6/2
[資料番号]
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[発表日]2008/6/2
[資料番号]
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