| 講演名 | 2008-06-09 MOS反転層モビリティの高精度評価(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 鳥海 明, 喜多 浩之, |
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| 抄録(和) | 電気的な測定はボタンを押せば、世界最高レベルの物理分析技術よりも何桁も高精度の測定が可能である。このことは逆に評価しているものが何であるかを理解していないと、"物理的な理解"というものに大きな誤解を与えることにもなる。本報告ではMOSFETでもっとも重要なデバイス評価パラメータであるcarrierのモビリティの評価手法と,その散乱機構の解析によく使われるMattiessen則の妥当性について議論する。 |
| 抄録(英) | An electrical measurement is a very precise evaluation method compared to any physical analyses. The data obtained in the measurements are with high precision numerically but in some cases questionable in terms of physical meaning. This paper discusses the inversion layer mobility from both viewpoints of Spilt C-V measurement and Matthiessen's analysis. |
| キーワード(和) | モビリティ / 反転層 / マティーセン則 / ホール因子 |
| キーワード(英) | mobility / Split C-V / inversion layer / Matthiessen's law / Hall factor |
| 資料番号 | SDM2008-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/6/2(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOS反転層モビリティの高精度評価(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Accurate Evaluation of MOS Inversion Layer Mobility |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | モビリティ / mobility |
| キーワード(2)（和/英） | 反転層 / Split C-V |
| キーワード(3)（和/英） | マティーセン則 / inversion layer |
| キーワード(4)（和/英） | ホール因子 / Matthiessen's law |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鳥海 明 / Akira Toriumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 Department of Materials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 喜多 浩之 / Koji Kita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 Department of Materials Engineering, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2008-06-09 |
| 資料番号 | SDM2008-45 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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