| 講演名 | 2008-06-10 High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 小原 孝介, 浦岡 行治, 冬木 隆, 山下 一郎, 八重樫 利武, 茂庭 昌弘, 吉丸 正樹, |
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| 抄録(和) | 我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの開発を目指した研究を行っている。本研究はメモリとしての性能や信頼性のさらなる向上を目指して,トンネル酸化膜に高誘電体材料(High-K)を用いたドット型フローティングゲート型MOSキャパシタの電気特性に関する評価を行った。その結果,トンネル酸化膜にHigh-k膜を利用したことによりメモリウィンドウが増大し,電荷保持特性が向上した。 |
| 抄録(英) | The memory characteristics of nanodot floating gate memories with High-k tunnel oxide were investigated using MOS capacitors. High density BND absorption on High-k was confirmed by using APTES. Memory window of MOS capacitors with High-k were larger than SiO_2. In addition, charge retention characteristic of MOS capacitors were improved by using High-k as tunnel dioxide. |
| キーワード(和) | フローティングゲートメモリ / フェリチン / High-k / MOSデバイス |
| キーワード(英) | floating gate memory / ferritin / High-k / MOS devices |
| 資料番号 | SDM2008-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/6/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bio-nanodot floating gate memory with High-k films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フローティングゲートメモリ / floating gate memory |
| キーワード(2)（和/英） | フェリチン / ferritin |
| キーワード(3)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(4)（和/英） | MOSデバイス / MOS devices |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小原 孝介 / Kosuke Ohara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山下 一郎 / Ichiro Yamashita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 八重樫 利武 / Toshitake Yaegashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 茂庭 昌弘 / Masahiro Moniwa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 吉丸 正樹 / Masaki Yoshimaru |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 発表年月日 | 2008-06-10 |
| 資料番号 | SDM2008-57 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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