| 講演名 | 2008-06-09 Si反転層中のホールサブバンド分散(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 武田 さくら, 森田 誠, 大杉 拓也, 谷川 洋平, 大門 寛, |
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| 抄録(和) | CMOSchannel中の電子やホールの有効質量の軽量化は情報処理速度向上のための有力な手段である。電子やホールの有効質量はバンド分散構造を測定することで直接求めることが出来る。そこで我々は極微細CMOS中のp-channelと同等のシリコン反転層をSi(111)面に作製し、反転層中に量子化によって形成されるサブバンドの分散構造を角度分解光電子分光法を用いて測定している。本講演では測定の詳細と主な測定結果について報告する。サブバンドの分散構造や方位依存性性は基本的にバルクSiのバンドと一致すること、つまり有効質量の性質は量子化されても変化しないことがわかった。また、表面ポテンシャルを変えるとサブバンドエネルギー位置は変わるが分散構造は基本的に変化しないことがわかった。 |
| 抄録(英) | Subband dispersion quantized in Si inversion layer was measured by Angle-resolved photoemission spectroscopy. The dispersion structure and its in-plane anisotropy was found to be basically same as the bulk Si. This means that the effective mass is not changed by the quantization. |
| キーワード(和) | シリコン / 反転層 / サブバンド分散 / 有効質量 |
| キーワード(英) | Silicon / Inversion layer / subband dispersion / effective mass |
| 資料番号 | SDM2008-44 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/6/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si反転層中のホールサブバンド分散(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hole Subband Dispersions in Si Inversion Layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 反転層 / Inversion layer |
| キーワード(3)（和/英） | サブバンド分散 / subband dispersion |
| キーワード(4)（和/英） | 有効質量 / effective mass |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武田 さくら / NISHINO Sakura TAKEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 誠 / Makoto MORITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大杉 拓也 / Takuya OHSUGI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 谷川 洋平 / Yohei TANIGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大門 寛 / Hiroshi DAIMON |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2008-06-09 |
| 資料番号 | SDM2008-44 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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