| 講演名 | 2008-06-09 化合物半導体電子デバイス開発の軌跡(ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 大野 泰夫, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 化合物半導体は、高移動度と言うことでシリコンデバイスを超える次世代デバイスと期待されてきた。実際に衛星放送受信用低雑音FET、光通信用IC、携帯電話端末用FET,HBT、基地局用パワーFETなどが実用化されたが、期待されたデジタルLSIは普及には至らなかった。現在開発はGaNなどのワイドバンドギャップ系に移っている。これらの推移の背景をデバイス物理、シリコンとの違い、応用面の変化など観点から解説する。 |
| 抄録(英) | Compound semiconductor devices has been expected as future electron devices exceeding the performances of conventional silicon based devices. They have actually commercialized for low-noise FETs for satellite broadcasting, optical communication ICs, cell-phone amplifier FETs and HBTs and power FETs for cell-phone base stations. However, they have not been used as the expected digital LSI devices. The main development area of compound devices is shifting to wide bandgap semiconductors. This article explains the backgrounds of these trends from the view of device physics, difference from silicon counterparts and shifts in applications. |
| キーワード(和) | 化合物半導体 / HEMT / キャリア移動度 / τP積 / 電圧限界 / ワイドバンドギャップ |
| キーワード(英) | compound semiconductor / HEMT / carrier drift mobility / τP product / voltage limitation / wide bandgap |
| 資料番号 | SDM2008-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2008/6/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 化合物半導体電子デバイス開発の軌跡(ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development History of Compound Semiconductor Electron Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 化合物半導体 / compound semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア移動度 / carrier drift mobility |
| キーワード(4)（和/英） | τP積 / τP product |
| キーワード(5)（和/英） | 電圧限界 / voltage limitation |
| キーワード(6)（和/英） | ワイドバンドギャップ / wide bandgap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Yasuo OHNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部先進物質材料部門 Advanced Materials, Institute of Technology and Science, The University of Tokushima |
| 発表年月日 | 2008-06-09 |
| 資料番号 | SDM2008-43 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |