| 講演名 | 2008-06-09 高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望(ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 高木 信一, |
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| 抄録(和) | 45nm世代を迎え、種々の微細化限界により、CMOS性能の飽和が顕在化している。このため、チャネルの電流駆動力向上やマルチゲートによる短チャネル効果抑制などの様々なチャネルエンジニアリングが、今後のCMOS特性の向上と等価的スケーリングには必須の技術と考えられている。本講演では、以上の観点から、ひずみSiやGeチャネル、III-Vチャネルを用いたMOSFETの現状・課題・将来像を紹介する。 |
| 抄録(英) | Saturation of CMOS performance has been evident in the present 45nm technology and beyond because of the a variety of limitations on the miniaturization. Thus, channel engineering, including the enhancement of drive current due to high mobility channel materials and multi-gate structures with robustness against short channel effects, has currently been recognized as mandatory for high performance CMOS. In this paper, we review the current status, the critical issues and the future prospects of the development of mobility-enhanced CMOS device structures using strained-Si, SiGe, Ge and III-V semiconductor MOS channels and the carrier transport properties in those channels. |
| キーワード(和) | CMOS / 移動度 / チャネルエンジニアリング / ひずみSi / SiGe / Ge / III-V族化合物半導体 |
| キーワード(英) | CMOS / mobility / channel engineering / strained-Si / SiGe / Ge / III-V semiconductors |
| 資料番号 | SDM2008-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/6/2(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望(ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Status and Future Prospects of High Mobility Channel Technologies for High Performance CMOS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(3)（和/英） | チャネルエンジニアリング / channel engineering |
| キーワード(4)（和/英） | ひずみSi / strained-Si |
| キーワード(5)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(6)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(7)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V semiconductors |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 信一 / Shinichi TAKAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 School of Engineering, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2008-06-09 |
| 資料番号 | SDM2008-42 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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