エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2001/03/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/3/8
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/3/8
[資料番号]
サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針

外園 明,  大内 和也,  宮野 清孝,  水島 一郎,  綱島 祥隆,  豊島 義明,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-241
スプリットゲート型フラッシュメモリのカップリング係数測定における制御ゲート適正電圧の設定

藤原 英明,  廣島 崇,  有本 護,  海田 孝行,  本間 運也,  周藤 祥司,  黒岡 和巳,  平獺 征基,  豆野 和延,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-242
ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜

東郷 光洋,  渡部 宏治,  山本 豊二,  五十嵐 信行,  辰巳 徹,  小野 春彦,  最上 徹,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-03
極狭チャネルMOSFETにおける量子力学的狭チャネル効果

間島 秀明,  平本 俊郎,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-244
招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」

高木 信一,  水野 智久,  杉山 直治,  手塚 勉,  畠山 哲夫,  / 黒部 篤,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-245
素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響

黄 俐昭,  武村 久,  竹内 潔,  最上 徹,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-246
完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造

沼田 敏典,  野口 充宏,  大脇 幸人,  高木 信一,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-247
Niシリサイド・ショットキー障壁ソース/ドレインSOI-MOSFETの特性

中川 豪,  鹿野 隆頼,  浅野 種正,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-248
ソース・ドレインの全層シリサイド化によるFD SOI MOSFETの高性能化

一森 高示,  平下 紀夫,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-249
貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9~6.2GHz)SOIパワーMOSFET

松本 聡,  平岡 靖史,  酒井 達郎,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-250
BOX貫通コンタクトによる高耐圧SOI-ICの基板電位固定

小林 研也,  伊藤 将之,  高杉 一成,  戸枝 雅寛,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-251
SOI-MOSFET/ダイオード複合デバイスにおける光検出特性のゲート電位依存性

瓜生 優子,  浅野 種正,  

[発表日]2001/3/8
[資料番号]SDM2000-252
[OTHERS]

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[発表日]2001/3/8
[資料番号]