| 講演名 | 2001/3/8 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_ 黄 俐昭, 武村 久, 竹内 潔, 最上 徹, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | チャネル領域を真性半導体により形成したSOLMOSFETでは、不純物イオンに起因する電界がないため、キャリアの移動度が増し、ON電流が向上することが期待される。しかしこれまで、素子の微細化が、SOI構造による移動度向上効果、あるいはON電流向上効果にどのように影響するか積極的に議論されていない。そこでITRS (International Technology Roadmap for Semiconductor)に従った微細化が、SOIとバルクMOSFBTとの差にどのように影響するかをシミュレーションした。その結果も素子微細化の進展とともに、バルクFETに対する真性半導体ボディSOI-MOSFETの移動度向上効果、ON電流向上効果が顕著化すること、両効果は特にしきい値の高い低スタンバイパワートランジスタに対して有効であること、これらは不純物イオンに起因する電界の相違により説明できること等が解った。 |
| 抄録(英) | Since the electric field originated from the impurity ions are suppressed, a intrinsic- semiconductor-body SOI-MOSFET has a large carrier mobility and a possibility to enhance ON current. However, The Influence on the device miniaturization on the ON current enhancement effect, or on the mobility enhancement have not been investigated. Therefor a systematic device simulation was performed to clarify these problems, with assuming a miniaturization strategy proposed in ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor). Through the work, they were found that the ability of intrinsic semiconductor body SOI-MOSFET's on the mobility enhancement and that on the ON current enhancement are enhanced as the device is miniaturized, that these effect is more significant in the low stand-by power transistor which has a higher threshold voltage, and that these result is explained by the device structure dependence of electric field originated from impurity ions. |
| キーワード(和) | SOI / MOS / FET / 移動度 / ITRS / ロードマップ |
| キーワード(英) | SOI / MOS / FET / mobility / ITRS / road map |
| 資料番号 | SDM2000-246 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/3/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Influence of The Device Miniaturization on The I_ |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(4)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(5)（和/英） | ITRS / ITRS |
| キーワード(6)（和/英） | ロードマップ / road map |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黄 俐昭 / Risho Koh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Device and Fundamental Research, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武村 久 / Hisashi Takemura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Device and Fundamental Research, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Device and Fundamental Research, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 最上 徹 / Tohru Mogami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Device and Fundamental Research, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2001/3/8 |
| 資料番号 | SDM2000-246 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 668 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |